نتایج جستجو برای: نیمه هادی

تعداد نتایج: 29686  

ژورنال: :اپتوالکترونیک نظری و کاربردی 0
سید علی هاشمی زاده عقدا استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور طاهر شعبانی کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور احمد یزدانی دانشیار، فیزیک، دانشگاه تربیت مدرس

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

ترموالکتریکها دستگاههای حرارتی حالت جامد هستند. آنها نیمه هادیهایی هستند که با استفاده از اثر سیبک تولید جریان الکتریکی و بر اساس اثر پلتیر به عنوان نیمه هادی خنک کننده استفاده میشوند. ترموالکتریک دارای قابلیتهای جالبی در مقایسه با دستگاههای برقی و خنککنندههای معمولی است. عدم وجود قطعات در حال حرکت منجر به افزایش قابلیت اطمینان، کاهش در تعمیر و نگهداری، و افزایش عمر سیستم میشود. عدم وجود سیال ب...

میرزا هادی سمرقندی (1246- 1309ق/1830- 1891م) از شاعران صاحب دیوان قرن سیزدهم و نیمه نخست قرن چهاردهم قمری/ قرن نوزدهم میلادی در ماوراء‌النّهر است. دوران زندگی این شاعر عزلت‌پیشه، مصادف با فرمانروایی خانهای قُنقُرات در خوارزم، مَنغیت در بخارا، مینگ در خوقند و پادشاهان قاجار در ایران است. درباره زندگی و شعر این شاعر نازک‌خیال اقوال متناقض، بل نادرستی در منابع مؤلّف در آسیای میانه قرن بیست نوشته شده و ...

ژورنال: :مجله علمی تخصصی مهندسی مکانیک تبدیل انرژی 0

سوئیچ های نانوالکترومکانیک مشابه سوئیچ های نیمه هادی معمولی اند اما اصول عملکرد سوئیچ های نانوالکترومکانیک ونیمه هادی با هم متفاوت می باشد. با توجه به وضعیت بهینه ای که در فناوری سوئیچ های نانو الکترومکانیک وجود دارد می توان آنها را جایگزین فناوری نیمه هادی ها کرد. نکته قابل توجه در این فناوری این است که در ساختار سوئیچ های نانو الکترومکانیک نانولوله های کربنی نقش مهمی را ایفا می کنند چرا که دا...

ژورنال: :روش های عددی در مهندسی (استقلال) 0
سید علی صدوق ونینی a. sadough - vanini

بررسی تقاضاهای تکنولوژی gsi و ulsi حاکی از نیاز ساختارهای چند لایه به کاهش زمان تأخیر انتقال علائم بین سیستمهای نیمه هادی است. این کاهش با استفاده از یک فلز هادی خوب مانند مس و یک غیر هادی کم ظرفیت تر از آنچه هم اکنون استفاده می شود مانند سیکلوتن ممکن است.در این مقاله نتایج حاصل از چسبندگی پوشش تبخیری و پراکنشی مس روی سیکلوتن 3022 بررسی می شود. پس از ارائه واکنشهای فصل مشترک فلز و پلیمر که رابط...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1391

ساختار بلوری نانوذرات قلع(ii) سولفید و قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن، روی بلاند بود. نانوذرات قلع(ii) سولفید رفتار دیامغناطیس و نانوذرات قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن(ii) رفتار فرومغناطیس نرم دارند. میانگین اندازه نانوذرات قلع(ii) سولفید، sn0.9fe0.1s و sn0.8fe0.2s به کمک روش xrd به ترتیب 12.6، 9.8 و 8.5 نانومتر محاسبه شد. اندازه فاصله انرژی با استفاده از روش uv-vis، در نانوذرات قلع(ii) سولفید، ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده مهندسی 1393

در شبکه های مخابرات نوری، تقویت کننده های نوری نیمه هادی عنصر بسیار مهمی بحساب می آیند.از میان انواع مختلف این تقویت کننده ها، تقویت کننده نوری نیمه هادی انعکاسی، به دلیل دارا بودن خصوصیاتی از جمله نرخ خاموشی و بهره نوری بیشتر از اهمیت بسزایی برخوردار است. پالس های انتشاری در محیط تقویت کننده توسط مجموعه ای از معادلات دیفرانسیلی غیر خطی کوپل شده رفت و برگشتی توصیف می شوند که برای حل آنها از رو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

توانایی های مبدلهای کلیدزنی dc-dc، آنها را به جزء لاینفکی از تجهیزات الکتریکی تبدیل کرده است. از جمله این توانایی ها می توان به قابلیت پردازش توان در حجم مناسب ، بازده بالا و سادگی تطبیق با کاربردهای مورد نیاز، اشاره نمود. در کاربردهایی که به یک مبدل dc-dc غیرایزوله کاهنده با توانایی فراهم آوردن جریان بالا با ریپل کم نیاز است، مبدل باک درهم تنیده می تواند به عنوان بهترین گزینه مطرح شود. دلیل ای...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
علی اصغر اروجی ali a. orouji semnan universityدانشگاه سمنان اکرم عنبر حیدری دانشگاه سمنان زینب رمضانی دانشگاه سمنان

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammad razaghi tarbiat modares university vahid ahmadi tarbiat modares university abas zarifkar iran telecommunication research center

برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید