بلورهای فوتونی، ساختارهای متناوب دی الکتریکی یا فلزی هستند که می توانند انتشار نور را کنترل کرده و رفتار آن را تحت تأثیر قرار دهند. وقتی که که مواد سازنده ی بلورهای فوتونی، خاصیت مغناطیسی داشته باشند و یا حداقل یک لایه در ساختارهای بلور فوتونی، مغناطیسی باشدبلورهای مگنتوفوتونی شکل می گیرند.استفاده از ساختار های بلور مگنتوفوتونی به منظور افزایش اثرات مگنتواپتیکی از سال 1996 آغاز شده و تاکنون مطا...

در این مقاله به آموزش مبتنی بر نرم‌افزار یک دی‌مالتی‌پلکسر چهار کاناله کریستال فوتونی با استفاده از نرم‌افزار آرسافت پرداخته شده است. آموزش ساختار دی‌مالتی‌پلکسر بر مبنای خصوصیات یک فیلتر کریستال فوتونی بنا نهاده شده‌ است. در این تجزیه و تحلیل با تغییر شعاع میله‌های درون نانو‌تشدیدگر حلقوی و شعاع میله‌های پراکندگی در ساختار کریستال ‌فوتونی، پارامتر مهم طول‌موج مرکزی 1573.6 نانومتر در فیلتر بهبو...

امروزه به چشمه‎های مختلف نوری مخصوصا انواع لیزرها به دلیل خواص منحصر به فرد آن‎ها همانند همدوسی زمانی و فضایی، واگرایی بسیار کم در فواصل زیاد، چگالی انرژی بسیار بالا و غیره در زمینه‎های گسترده‎ای احتیاج داریم. در بیش‎تر این کاربردها به همراه استفاده از پرتوی نور بحث شکل دهی به آن مطرح می‎شود. با شکل دهی به پرتو برای هر کاربرد خاص و به طور مناسب می‎توان بازده‎ی پرتوی لیزر را به میزان قابل توجهی ...

چکیده : آنچه بخوبی شناخته شده این است که گسیل خودبخود یک اتم نه تنها به خواص سیستم اتمی تحریک شده وابسته است بلکه به خواص محیط احاطه کننده اتم نیز وابسته می باشد. از نقطه نظر محیط احاطه کننده اتمها، ساختارهای گاف باند فوتونی (pbg) چگالی حالات متفاوتی نسبت به فضای آزاد از خود نشان می دهند. مطالعه پدیده های اپتیک کوانتومی در اتمهای واقع شده در چنین ساختارهایی منجر به پیش گویی آثار جالب زیادی مث...

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

بلور فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که به صورت مصنوعی ساخته شده اند و دارای ساختار نواری می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه می باشد. در سالهای اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار نور در مقیاس طول موج، بسیار مورد توجه است. در این میان موجبرهای بلور فوتونی، که از ایجاد یک نقص خطی در بلور فوتونی بدست می آید، از اهمیت زیادی در مدا...

یکی از پارامترهای اساسی مواد ضریب شکست می باشد، به طوری که انتشار امواج الکترومغناطیس در مواد وابسته به ضریب شکست محیطی است که موج در آن منتشر می شود. در محیط های همسانگرد ضریب شکست به زاویه تابش به ماده بستگی ندارد و برای تمامی زوایای تابش مقدار ثابتی است. اما ضریب شکست مواد ناهمسانگرد به زاویه بین بردار موج و محور اپتیکی ماده ناهمسانگرد وابسته است. یکی از انواع مواد ناهمسانگرد بلورهای مایع می...

بلورهای فوتونی ساختارهای طبیعی یا مصنوعی هستند که در آن ها ضریب شکست به طور تناوبی تغییر می کند. این ساختارها اجازه انتشار امواج الکترومغناطیسی را درون ناحیه فرکانسی معینی نمی دهند بنابراین نور در این ناحیه کاملاً منعکس می شود. این نواحی ممنوعه، نوار گاف فوتونی نامیده می شود. با وارد کردن لایه ای با ضریب شکست یا ضخامت متفاوت در یک بلور فوتونی می توان مدهای عبوری در نوار گاف مشاهده کرد. هدف اصلی ...

یک موجبر بلور فوتونی در این مقاله ارائه شده است. این ساختار آرایه دو بعدی از میله‌های سیلیکونی است که در آرایش مثلثی چیده شده‌ است. میله‌ها در زمینه هوا و در صفحه x-z قرار گرفته است. ساختار موجبر با حذف میله‌های سیلیکون ایجاد شده است. آرایش شکاف باند در این اسپلیتر با روش FDTD بررسی شد. این موجبر می‌تواند نقش اسپلیتر را ایفا کند. با استفاده از این آرایه اسپلیتر دو پورتی و سه پورتی ایجاد شده است...

در این پایان نامه رژیم نور کند در موجبرهای بلور فوتونی بر پایه سیلیکون کارباید (sic)، برای اولین بار ارائه می شود. کند بودن سرعت گروه نور در این گونه ساختارها باعث افزایش برهم کنش نور با محیط اطراف می شود. به طور معمول ، رژیم نور کند با پاشندگی سرعت گروه زیاد همراه است. برای دستیابی به نور کند همراه با پاشندگی سرعت گروه پایین، با استفاده از روش تزریق سیال های نوری در حفره های هوا پاشندگی در موج...