در این پایان نامه پیوندگاه جوزفسون توسط پدیده میکروسکوپی تونل زنی و تاثیر اعمال ولتاژ به دو سر آن و حضور در میدانهای مغناطیسی مورد بررسی و معرفی قرار می گیرد. در اینجا هدف، دست یافتن به جوابهای معادله سینوسی گوردون است که رفتار پیوندگاه جوزفسون را توصیف می کند. اثر جوزفسون پدیده ای شامل شارش جریان در عرض دو ابررسانای مجزا که بطور ضعیف توسط یک لایه نازک بهم متصل شده اند، می باشد. پیوندگاه جوز...

با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...

در این تحقیق مدلی ساده از یک ساختمان سه طبقه با ستونهای کج در طبقه اول ارائه گردیده است. کفها صلب فرض گردیده و توسط فنرهای دورانی ارتجاعی-خمیری و نیز میراگرهای دورانی-خطی به ستونهای بدون جرم و دارای صلبیت محوری متصلند. مدل در نظر گرفته شده تحت مولفه های افقی و قائم ناشی از پالس عمود بر گسل با بزرگاها و اختلاف فازهای گوناگون قرار گرفته و معادلات دیفرانسیل غیرخطی حاکم بر آن به روش رانگ کوتای مرتب...

چکیده درحال حاضر درجهان 180 کشوراز 200 کشورجهان به لحاظ قومی ناهمگون هستند، اکثراین کشورها بالقوه آماده درگیریهای قومی هستند برخی ازاین بحرانها دربستری از دخالتهای بیگانگان و کشورهای همسایه و قدرتهای جهانی شکل میگیرد ولی سیاستهای اعمال شده توسط حکومتها روی این بحرانها اثر مستقیم دارد کشور عراق هم کشوری ناهمگون میباشد یکی ازاین اقوام که در کشور عراق وجود دارد کردها میباشند که باکردهای ایران ، ...

نانو ذرات  Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

کاربرد سه نوع آرایه الکترودی جهت شناسایی یک حفره زیرزمینی بررسی گردید. تصویر سازی سه بعدی مقاومت الکتریکی در امتداد هشت پروفیل موازی با استفاده از آرایه های الکترودی قطبی- قطبی، قطبی-دوقطبی و دوقطبی- دوقطبی با فاصله بین الکترودی یک متر  و شبکه مستطیلی صورت گرفت. برگردان سازی داده ها توسط یک الگوریتم وارون سازی  سه بعدی مبتنی بر روش برگردان سازی هوشمند انجام گردید.  جهت بدست آوردن نتایج بهتر، بر...

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

در این رساله یک ساختار دوقطبی جانبی دوامیتری متقارن (sdelbjt) براساس فناوری soi طراحی شده است. این ترانزیستور دارای یک پایه دیگر به نام گیت است که با استفاده از آن می توانیم بهره جریان های متفاوت داشته باشیم، به این صورت که با اعمال ولتاژ به گیت عرض بیس آن تغییر می کند و باعث می شود برخورد حامل ها در بیس کمتر شده و راحتتر از امیتر به بیس بروند و در نتیجه بهره جریان تغییر می کند. شبیه سازی هایی ...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...