نتایج جستجو برای: فیبر فوتونیک کریستال
تعداد نتایج: 2924 فیلتر نتایج به سال:
چکیده زمینه و هدف: مصرف ترکیبات آمفتامینی و به ویژه مصرف سنگین آنها با تخریب حافظه، افسردگی و اضطراب در فضاهای مرتفع همراه است. هدف این مطالعه بررسی اثر ماده مخدر شیشه روی رفتارهای مرتبط با اضطراب در رت های نر بود. روش بررسی : در این مطالعه تجربی 28 سر موش صحرایی به طور تصادفی به چها گروه تیمار شده با سرم فیزیولوژی، تیمار شده با کریستال مت 5 میلی گرم بر کیلو گرم، تیمار شده با کریستال مت 10 میلی...
زمینه و هدف: کریستال مت با القاء استرس اکسیداتیو سبب آسیب سلولهای مغزی میشود. در مطالعهی حاضر اثر تزریق بلندمدت عصاره الکلی اسکروفولاریا استریاتا بر حافظهی فضایی و پروکسیداسیون لیپیدی رتهای نر طی اعتیاد به کریستال مت مورد بررسی قرار گرفت. مواد و روشها: 49 سر رت نر در 7 گروه شامل: کنترل، سالین، کریستال مت (5 میلیگرم/کیلوگرم)، عصاره اسکروفولاریا استریاتا (100 و 200 میلیگرم/کیلوگرم)، پیش ت...
استفاده از تقویت کننده ها در سیستمهای ارتباطی، به منظور تقویت سیگنال های تضعیف شده، از اهمیت بسیاری برخوردار است. پیدایش تقویت کننده های نوری که سیگنال های نوری را به صورت مستقیم و بدون نیاز به تبدیل به سیگنال های الکتریکی، تقویت می کنند، انقلابی را در سیستم های فیبر نوری بر پا کرد. در این رساله وابستگی ضریب شکست موثر غلاف، پاشندگی، مساحت موثر مد و ضریب غیر خطی به طول موج در تقویت کننده های فیب...
در این تحقیق مدل سازی و تحلیل المان محدود مواد تک کریستال، چند کریستالی و در نهایت آلیاژهای دو فازی با استفاده از مدل الاستیسیته غیر یکنواخت و کریستال پلاستیسیته مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. در مدل کریستال پلاستیسیته از معادلات متشکله ای برای مدل کردن رفتار تک کریستال ها استفاده می شود تا بتوانند جواب هایی مایکروسکوپیک از پاسخ های اختصاصی کریستال، فرموله کنند. این مدل ها، شبیه سازی کرنش سخت...
در این تحقیق، ویژگی مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی با یک لایه ی نقص و همچنین موقعیت ناحیه گاف نوار فوتونی در ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی ایده ال مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار بلورهای فوتونیک برای دو حالت متقارن و پاد متقارن بررسی می شود.سیستمی که در این تحقیق در نظر گرفته می شود، سیستمی دو لایه ای از سیلیکون / هوا است، ضریب شکست سیلیکون به عنوان تابعی از...
کاواک های بلور فوتونیک کاربرد های زیادی در صنعت اپتوالکترونیک دارند. این کاواک ها از ایجاد نقص در ساختار دوره ای بلور های فوتونیک به وجود می آیند. کاواک ها با تغییر پارامترهای فیزیکی نقص خواص اپتیکی متفاوتی از خود نشان می دهند. در این پایان نامه، به مطالعه ی کاواک های بلور فوتونیک می پردازیم. با استفاده از روش شبیه سازی المان متناهی کاواک بلور فوتونیک با نقص های مختلف را مدل سازی کرده و تأثیر ک...
در دهه های اخیر نیاز بشر به دستیابی سرعت ها و ظرفیت های بالاتر باعث گردیده است که محققان توجه خود را به ابزارهایی بسیار کوچکتر و سریع تر از قطعات الکترونیکی رایج معطوف نمایند. این امر موجب شده است که مطالعات گسترده ای در ابعاد نانو، بر روی بلورهای فوتونیک انجام گیرد. این گونه از بلورهای فوتونیکی به دلیل خواص منحصر به فرد و پتانسیل بالا در اپتوالکترونیک، جهت کاربرد در مخابرات، فناوری اطلاعات، عل...
در این مقاله تاثیر ضخامت و مقدار ضریب شکست مؤثر نقص بر روی سرعت نور در بلور فوتونیک یک بعدی بررسی شده است. نتایج محاسبات نشان می هد افزایش ضریب شکست، تعداد نقص ها و ضخامت آن منجر به کاهش سرعت نور در بلور می شود. با بهره گیری از نتایج به دست آمده روش نوینی برای کوک پذیری بلور فوتونیکی مطرح شده است
بسیاری از توابع فوتونیکی به وسیله کنترل اثر متقابل واپاشی و آثار غیر خطی در موجبر قابل پیاده سازی می باشند. مهندسی واپاشی برای آن دسته از فرآیندهای غیر خطی نظیر تبدیل طول موج و تقویت کنندگی پارامتریک که به تطابق فاز نیاز دارند، امری ضروری است. همچنین در کاربردهایی چون تولید و انتشار پالس سالیتونی، فرآیندهای پهن کردن طیف پالس، فشرده سازی و دوباره شکل دهی پالس ، کنترل دقیق واپاشی از اصول اولیه و ...
اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید