به منظور یافتن و توصیه روشی جهت بهبود رشد رویشی و زایشی، همچنین عملکرد اقتصادی زعفران با استفاده از مواد آلی اصلاح کننده خاک، آزمایشی بصورت کرت‌های خرد شده شامل: سه دور آبیاری 30، 50 و 70 روزه بعنوان کرت‌های اصلی و سه عامل ورمی کمپوست، تراکوتم و بلور آب آ بصورت ساده و ترکیبی همچنین شاهد به‌عنوان کرت‌های فرعی به مدت سه سال زراعی (96- 1393) در مزرعه تحقیقاتی پژوهشکده زعفران، دانشگاه تربت حیدریه ا...

در این پژوهش تک بلور هالید قلیایی پتاسیم کلراید (kcl) خالص و همراه با درصدهای مختلف ناخالصی نانوالماس در آزمایشگاه رشد داده شد. پودر نانوالماس دارای خواص فیزیکی و مکانیکی ویژه ای است و از جمله پودرهای فوق سخت در مقیاس نانو به شمار می رود. پس از رشد، آنالیزهای مختلفی جهت مشخصه یابی بلورهای مذکور انجام شد. این آنالیزها شامل آنالیز xrd، طیف سنجی فرابنفش- مرئی (uv-visible)، طیف سنجی تبدیل فوریه ماد...

در این پایان نامه جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از بلورهای فوتونیکی حاوی متامواد و مواد تک محوری مطالعه شده است. بلورهای فوتونیکی به شکل بلورهای یک- بعدی، نیمه بینهایت، و تمامی لایه ها بصورت همسانگرد، همگن و بدون اتلاف در نظر گرفته شده است. در سطح مشترک بین محیط راستگرد و متامواد امواج سطحی تولید می شوند. این امواج انرژی پرتو را در راستای سطح مشترک دو محیط جابجا می کنند به همین دلیل مرکز پرتو تا...

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

روشهای اندازه گیری مقادیر بحرانی و روش رشد تک بلور ba0.72k0.28fe2as2 به طور مختصر بیان گردیده است. انرژی فعال سازی از روی مقاومت ویژه برای دو جهت h||ab و h||c محاسبه گردید. نتایج نشان می دهد که تک بلور ba0.72k0.28fe2as2 با k9/32= tc پتانسیل میخکوبش به بزرگی k 104 دارد که وابستگی خیلی کمی به میدان از خود نشان می دهد. همچنین تک بلور ba0.72k0.28fe2as2 در دماهای پایین و میدان های مغناطیسی بالا همسا...

بلورهای فوتونی ساختارهای جالبی هستند که توانایی کنترل جریان های فوتونی بوسیله تشکیل گاف باند فوتونی را دارند. رفتار فوتونها در بلورهای فوتونی مشابه رفتار الکترونها درون بلورهای نیمرساناست که بوسیله باند های رسانش و ممنوعه کنترل می شوند، به همین دلیل امروزه از فوتونهای با سرعت بالا بجای الکترونهای کند برای انتقال اطلاعات استفاده می شود. در طراحی وساخت بلورهای فوتونی از انواع مختلف مواد اعم از دی...

ترموالکتریکها دستگاههای حرارتی حالت جامد هستند. آنها نیمه هادیهایی هستند که با استفاده از اثر سیبک تولید جریان الکتریکی و بر اساس اثر پلتیر به عنوان نیمه هادی خنک کننده استفاده میشوند. ترموالکتریک دارای قابلیتهای جالبی در مقایسه با دستگاههای برقی و خنککنندههای معمولی است. عدم وجود قطعات در حال حرکت منجر به افزایش قابلیت اطمینان، کاهش در تعمیر و نگهداری، و افزایش عمر سیستم میشود. عدم وجود سیال ب...

تغییر ضریب شکست نور در نوار باریکی از سطح مواد نوری مناسب، موجبرهای نوری را نتیجه می دهد. یکی از مشهورترین روش های ساخت این موجبرها، نفوذدهی عناصر فلزی مناسب نظیر روی در نوار باریکی از سطح بلور نیوبات لیتیم است؛ پایداری خواص ویژه نیوبات لیتیم در اثنای دست یابی به بهینه شرایط نفوذ، از اهمیت بسیار برخوردار است. اهداف این تحقیق عبارتند از عملی نمودن نفوذ حرارتی روی در زیرلایه نیوبات لیتیم در بهتری...