نتایج جستجو برای: ترانزیستور عبور

تعداد نتایج: 7734  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1391

پدیده ی عبور مولکول های زیست-پلیمری از حفره های غشایی یکی از پدیده های حیاتی در شیمی و زیست فناوری محسوب می شود. درک فیزیک این پدیده راه را برای توالی یابی ژنوم از طریق عبور دادن مولکول های‎ dna ‎‎از حفره هایی با ابعاد مناسب فراهم می سازد. یکی از عوامل موثر روی پدیده ی عبور بر هم کنش های هیدرودینامیک می باشد که ما در این پایان نامه به آن پرداخته ایم. در این پایان نامه از نرم افزار دینامیک مولکو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی 1392

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده مهندسی 1388

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
حامد نجفعلی زاده دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر علی اصغر اروجی دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1392

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فرهاد خوئینی f khoeini iran university of science and technology (iust), narmak, 16846, tehran, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه علم وصنعت ایران، نارمک، تهران حسین فرمان h farman iran university of science and technology (iust), narmak, 16846, tehran, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه علم وصنعت ایران، نارمک، تهران

در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1393

افت و خیزهای گرمایی در کناره‏ی غشاءِ باردار سلول، موجب عبور انتخابی یون‏ها از کانال‏های یونی می‏شود؛ چون غشاء خود در حالت طبیعی همانند یک خازن عمل می کند و دو طرف آن اختلاف پتانسیل وجود دارد، این افت و خیزها در کنار برهمکنش الکتروستاتیکیِ موجود، موجب فعالیت و ارتباط بین سلولی می‏شوند. ما با فرض پیروی یون‏ها از تابع توزیع بولتزمن و در نظر گرفتن تقریب گوی-چاپمن و حل معادله‏ی پواسن، اقدام به محاسبه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده عمران 1393

موج شکن های شناور به منظور ایجاد محیطی امن جهت حفاظت از سازه های ساحلی در برابر نیروی امواج به کار می روند. استفاده از این موج شکن ها در مکان هایی که بستر دریا از پایداری لازم جهت تحمل نیروی مصالح برخوردار نیست و همچنین در محل هایی با عمق نسبتا زیاد، بسیار اقتصادی خواهد بود. با وجود حجم وسیع فعالیت های انجام گرفته در مناطق ساحلی کشورمان از یک سو و اهمیت طراحی سازه های حفاظت از ساحل با کاربرد من...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید