در این پروژه یک پیش تقویت کننده هسته ای از نوع حساس به بار طراحی و ساخته شد که می تواند گام مهمی در پیش برد این تکنولوژی در کشور به حساب بیابد. این تقویت کننده دارای سرعت بالا و نویز بسیار کم در ورودی می باشد که نویز زمینه (نویز اضافه شونده) بسیار کمی نیز دارد. مقاومت ورودی این تقویت کننده بسیار زیاد می باشد که این امر باعث کیفیت این تقویت کننده در دریافت سیگنال های ورودی می شود. برتری دیگر ای...

پیشرفت مخابرات سلولی و فراگیر شدن آن سبب شده است که سازندگان گیرنده های رادیویی سعی در مجتمع سازی محصولات خود و کاهش تعداد المان های خارج تراشه نمایند طوری که بتوانند فرستنده - گیرنده را برروی یک تراشه طراحی کنند . امروزه بسیاری از مدارهای بخش جلوی rf با تکنولوژی cmos پیاده سازی می شوند . گسترش تکنولوژی cmosدر مدارهای مخابراتی به دلیل عملکرد بسیار مناسب آنها در فرکانس های بالا ، ارزان بودن و ...

چکیده ندارد.

چکیده در این پایان¬نامه ما ابتدا به معرفی و شناخت سیستم¬های uwbدر تکنولوژی cmosپرداخته و از آنجایی که نویز در این سیستم¬ها بسیار مهم است، به تکنیک¬های مورد استفاده برای بهینه¬سازی نویز می¬پردازیم. در ادامه به مرور چند ساختار تقویت-کننده کم نویز که به ترتیب شامل تقویت¬کننده distributed، تقویت¬کننده cascade، تقویت¬کننده سورس-مشترک با سلف دیژنراسیون،تقویت¬کننده cascade با تکنیک اینورتر با فیدبک م...

در این پایان نامه به آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره ی بالا و توان مصرفی کم در باند فرکانسی ghz10-3 با استفاده از تکنولوژی?m-tsmc rf cmos 0.18پرداخته شده است. هسته اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکود است که برای تطبیق امپدانس ورودی از فیلتر چپیشف استفاده شده است. از بین توپولوژی های مختلف تقویت کننده کم نویز، ساختار سورس مشترک استفاده شده که دارای عملکرد نویزی منا...

در این پایان نامه، یک تقویت کننده سیگنال های عصبی با نویز و توان مصرفی کم که قابلیت تنظیم فرکانس قطع بالا و پایین پاسخ فرکانسی ac را در گوشه های مختلف پروسه دارا می باشد، طراحی شده است. این تقویت کننده می بایست کمترین توان مصرفی را در بین موارد مشابه دارا باشد؛ از این رو مدار را در ناحیه زیرآستانه بایاس می کنیم. محدوده فرکانسی سیگنال های عصبی 0.5-100hz است؛بنابراین تقویت کننده، از نوع فرکانس پا...

این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در تکنولوژی tsmc 0.18µm cmos را برای کاربردهای باند فرکانسی 10-12ghz ارایه میکند. تقویت کننده کم نویز پیشنهاد شده بر پایه ساختار دو مسیره میباشد. مسیر اول شامل دو طبقه اینورتر cmos است که به صورت آبشاری به هم متصل شدهاند. نقش این مسیر فراهم آوردن بهره صاف و مناسب در باند فرکانسی مطلوب است. علاوه بر این، بخشی از تطبیق امپدانس ورودی نیز توسط طبقه ورودی این مس...

در این پایان نامه، چندین تقویت کننده کم نویز پهن باند و کم توان و با بهره یکنواخت در محدوده فرکانسی از ghz 2 تا ghz 5.5 ، برای استفاده در گیرنده های بی سیم، طراحی شده است. این تقویت کننده های کم نویز، با استفاده از دو ترانزیستور phemt ، که بصورت کاسکودی قرار گرفته اند و به کمک توپولوژی استفاده مجدد از جریان، طراحی شده اند. یکی از بهترین طراحی های انجام شده، که، در سرتاسر محدوده فرکانسی از ghz...

در این پایان نامه تکنیک های کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده کم نویز پهن باند، ارائه شده است. پس از بررسی روش های موجود، برای کاهش و حذف نویز طبقه تطبیق ورودی در تقویت کننده پهن باند، سه تقویت کننده کم نویز پهن باند معرفی شده است. در مدار پیشنهادی اول برای کاهش رابطه معکوس بین توان مصرفی و شرط حذف نویز، یک توپولوژی جدید معرفی شده است که منجر به بهبود توان مصرفی و عدد نویز مدار م...