خواص ترابرد الکترونی نظیر رسانش، اثر هال و اثرات ترمودینامیکی در زمینه طراحی مواد از اهمیت ویژه ای برخوردارند. هم چنین از اثرهال در اندازه گیری مقاومت مغناطیسی مواد (مقاومت مواد در برابر میدان مغناطیسی ) ونیز برای تعیین نوع و چگالی حامل ها استفاده می شود .برای محاسبه ی خواص ترابرد الکترونی ، نیاز به توصیف فضای حقیقی از رفتار الکترون در بلورداریم .استفاده از توابع موج جایگزیده در فضای حقیقی باعث...

گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

یکی از ویژگی های جالب نانولوله ها مشاهده ی ناحیه ی رسانندگی دیفرانسیلی منفی در آنها می باشد که به صورت عکس رابطه ی استاندارد جریان-ولتاژ تعریف می شود. رسانندگی دیفرانسیلی منفی، در مواد مختلفی مانند ابرشبکه های نیمرسانا مشاهده شده است. در نانولوله-های کربنی در دمای اتاق تحت شرایطی و در گستره ی معینی از شدت میدان الکتریکی پیش-بینی شده است. در این پژوهش، به منظور بررسی رسانندگی دیفرانسیلی منفی در ...

نانولوله های کربنی، مواد ایده آلی هستند که در ساخت ادوات الکترونیکی در ابعاد نانو بکار می روند. یکی از علل مقاومت الکتریکی سیستم های نانومقیاس در دمای پایین مکانیسم پراکندگی الاستیک می باشد. از جمله پراکندگی های الاستیک می توان مراکز کولنی و برهم کنش الکترون- الکترون را نام برد. در این پروژه، نظریه پراکندگی ناخالصی کولنی دور در نانولوله های تک جداره با استفاده از تقریب تک الکترون مورد بررسی قرا...

این پایان نامه، با استفاده از روش بستگی قوی(tight bonding)و متد لانداوور که بر اساس تابع گرین استوار است، فرآیندی را برای بررسی کمی وکیفی خواص ترابردی و رسانشی ساختارهای در ابعاد نانو طرح می کند. این فرآیند شامل نوشتن ماتریس هامیلتونی و تابع گرین برای سیستمهای باز و به دنبال آن محاسبه چگالی حالات و ضریب ترابرد برای چنین سیستمی است، که با داشتن این اطلاعات می توان از طریق متد لانداوور مشخصه ولتا...

هدف از انجام رساله حاضر مطالعه خواص ترابردی در چند لایه ایهای مغناطیسی بود. در بین چند لایه ایهای مذکور اتصالات تونلی (mtj) fe/mgo/fe، بعلت داشتن مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا، کاربردهای گسترده ای را در صنعت ذخیره اطلاعات پیدا کرده اند. یکی از عمده ترین مشکلات در مطالعه mtjهای fe/mgo/fe اختلاف زیاد بین مقاومت های مغناطیسی اندازه-گیری شده و محاسبه شده است. محاسبات مقاومت مغناطیسی ای بزرگتر از 1000%...

ترابرد وابسته به اسپین در سیم های کوانتومی‎ که‎‎‎‎‎‎ قدرت برهمکنش اسپین-مدار راشبا در داخل آنها بصورت تناوبی و شبه تناوبی با ترتیب فیبوناچی تغییر می کند، با استفاده از روش ماتریس انتقال بطور نظری مورد بررسی قرار گرفته است. تاثیر تعداد واحدهای سازنده سیم، طول واحدهای سازنده، قدرت برهمکنش اسپین-مدار راشبا، انرژی الکترون های فرودی و یک واحد نقص، بر روی ضریب عبور و شات نویز و قطبش اسپینی بررسی شده ...

فرآیند رشد و تولید سطوح و فصول مشترک با شکل و خواص متفاوت، به دلیل کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی از موضوعات مورد توجه در کارهای نظری و تجربی به شمار می¬رود. به همین دلیل در رساله¬ی حاضر به دو مبحث پراخته می¬شود که ارتباطی بسیار نزدیک دارند. مبحث اول به رشد سطوح با استفاده از توابع همبستگی خاص و روش¬های نشست استاندارد اختصاص دارد. تمامی سطوح تولید شده در این روش¬ها ناهموار بوده و ریخت شناسی آن...