در این پایان نامه به مطالعه خواص ترابردی سیستم های با طیف دیراک با تأکید بر نقش اسپین، اثرات ترموالکتریکی و نیز جریانهای جوزفسونی پرداخته ایم. نخست مروری خواهیم داشت بر گرافین تک لایه به ویژه گرافین اسپین قطبیده در رژیم مغناطیسی قوی که درآن حامل های با راستاهای اسپینی مختلف به ترتیب الکترون گونه و حفره گونه هستند. نوع متفاوتی از اثر هال و همچنین اثری شبیه کاندو بصورت کمینه در مقاومت الکتریکی بر...

هدف این مقاله بهینه‌سازی سیستم‌های ژنراتور ترموالکتریک چندمرحله‌ای و تحلیل نتایج بدست آمده است. ابتدا حداکثر بازده و توان تولید شده خروجی از سیستم در سیستم‌های ترموالکتریک چندمرحله‌ای که مراحل آن، هم به صورت اتصال سری و هم به صورت اتصال موازی الکتریکی به هم مرتبط شده‌اند، محاسبه شده و کارآیی این سیستم‌ها با یکدیگر مقایسه و اولویت استفاده از هر یک از سیستم‌های بررسی شده در دمای کارکردش تعیین می‌...

The (Bi0.25 Sb0.75)2Te3 compound is a p-type thermoelectric semiconductor for application in thermoelectric cooling systems. To fabricate this single crystal, required elements, Bi, Sb and Te with 5N purity melted in quartz capsule at 10-6 torr pressure and rapidly quenched to room temperature. The sample crystallized by zone melting method with the rate of 8 mm per an hour at 700 oC and for...

هدف این مقاله بهینه سازی سیستم های ژنراتور ترموالکتریک چندمرحله ای و تحلیل نتایج بدست آمده است. ابتدا حداکثر بازده و توان تولید شده خروجی از سیستم در سیستم های ترموالکتریک چندمرحله ای که مراحل آن، هم به صورت اتصال سری و هم به صورت اتصال موازی الکتریکی به هم مرتبط شده اند، محاسبه شده و کارآیی این سیستم ها با یکدیگر مقایسه و اولویت استفاده از هر یک از سیستم های بررسی شده در دمای کارکردش تعیین می ...

در این تحقیق، لایه های نازک fto:p و fto:sb به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شده است. تاثیر تغییر تراکم فسفر و آنتیموان بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی این لایه ها بررسی شد. برای تهیه لایه نازک fto:p میزان ناخالصی فسفر با نسبت اتمی 0-10%= [p]/[sn] تغییر داده شد. نتایج آنالیز xrd تشکیل ساختار بس بلور تتراگونال sno2 را نشان داد. کمترین مقاوم...

هدف ما در این تحقیق مطالعه رسانندگی گرمایی نیمرساناهای gan و zno بر حسب تابعی از دما است. این نیمرساناها که از گاف نواری مستقیم پهن برخوردارند، در دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی در شرایط توان بالا و دمای بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. عوامل گوناگونی می توانند در بزرگی رسانندگی گرمایی یک ماده موثر باشند که برخی از آنها به خواص ذاتی ماده و برخی متأثر از عوامل غیر ذاتی نظیر دررفتگی ه...

پایان نامه ی حاضر به بررسی ویژگی های الکترونی و ساختاری ترکیب hgse در چهار فاز بلندروی، اورتورومبیک، سینابار و نمک طعام می پردازد. این ترکیب در فشار معمول دارای ساختار بلوری بلندروی می باشد و در فشارهای بالاتر به ترتیب به فازهای سینابار(gp 75/0)، نمک طعام(gp 16) و تتراگونالcmcm (gp 28) گذار می کند. همچنین دارای یک گذار فاز پنهان به ساختار اورتورومبیکc2221 بین دو فاز بلندروی و سینابار می باشد. س...

پیشرفت صنعت و ابزارهای الکترونیکی و دستگاههای نانو محققین را بر این داشته است که هر روزه به بررسی و مطالعه بر روی مواد و آلیاژهای گوناگون برای مصارف های صنعتی بپردازند. یکی از حوزه های مهم علم نانو صنعت اسپینترونیک است و محققین بر این هستند که به دنبال آلیاژهایی باشند که دارای قطبش اسپینی 100% در سطح فرمی باشند. یکی از مهمترین دسته از موادی که دارای کاربردهای اسپینترونیکی است نیم فلزات فرو مغنا...