به‌‌منظور بررسی مخزن زمین‌گرمایی سبلان و هدف­گذاری چاه­های جدید اکتشافی و تزریقی، داده­های مگنتوتلوریک در دو فاز طی سال‌های 2007 و 2009 برداشت شد. پس از بررسی ابعادی محیط و تصحیح داده­های خارج از رده که ناشی از نوفه‌‌های محیطی بودند، معکوس‌سازی داده­های مگنتوتلوریک صورت گرفت. نتایج به‌دست آمده در محدودۀ سبلان، مخزن زمین‌گرمایی را به شکل مناسبی آشکار کرد. بررسی مقاطع مقاومت ویژه حاصل از برگردان ...

  به کمکِ تقریبِ دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون‌های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه‌ای از جنس GaAs در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می‌دهند. با افزایشِ بردارِ موج ( )، بسامدِ هر یک از مدهای فونونی به بسامدِ یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می‌شود.

در کار حاضر، سنتز نانو کامپوزیت های رسانای الکتریکی بر پایه فوران، پیرول، آنیلین و مشتقاتش و عوامل تقویت کننده مانند نانو ذرات fe3o4، نانو لوله های کربنی عاملدار، کوپلیمر سنتزی و پلیمرهای طبیعی در نسبت های مولی مختلف با استفاده از روش های متنوع توصیف می گردد. در هر مورد نانو کامپوزیت های رسانای الکتریکی مربوطه تهیه شد و به وسیله دستگاه های مادون قرمز تبدیل فوریه (ft-ir)، اشعه ماوراء بنفش- مرئی ...

در این مقاله مشخصه های پهنای نوار مدولاسیون لیزر نقطه کوانتومی ingaas/gaas به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفاده از روش رانگ کوتا مرتبه چهارم انجام گرفته است. اثر طول عمر واهلش حامل ها، دما، چگالی جریان بر مشخصه های لیزر های نیمه رسانای نقطه کوانتومی تزریق تونلی (til)1 و بدون تزریق تونلی (cl)2 بررسی شده اند. نتایج نشان می دهند که تزریق تونلی در لیزر های نقطه کوانتومی م...

هنگامیکه اتمها در مجاورت یک سطح رسانا قرار می گیرند، در ترازهای انرژی ودر نتیجه در طیف تابشی آنهاتغییراتی بوجود می آید. در این پایان نامه، پس از بررسی کلاسیکی تابش یک دو قطبی الکتریکی در مجاورت یک صفحه رسانای کامل و نامحدود، برهمکنش یک سیستم کوچک s و یک منبع بزرگ r را فرمولبندی می کنیم. با توجه به هامیلتونی مربوط به جفت شدگی سیستم کوچک s و منبع بزرگ r و با استفاده از نظریه اختلال در الکترودینام...

نتایج نشان می دهدکه این دسته از ترکیبات همگی نیم رسانا هستند،که ترکیب bese نیم رسانای با گاف غیرمستقیمبا گاف نواریبرابرev)62/3= ) و گاف مستقیمبا گاف نواریبرابر ev)5= ) و برای بقیه ی ترکیبات سه تایی با مقادیر (75/0و5/0و25/0و0 =x) همگی نیم رسانای با گاف مستقیمبا گاف نواریبه ترتیب برابر ev(7/3و7/2و4/2و07/2) می باشند. افزودن بریلیم به ترکیب cdse با غلظت های مختلف xبا مقادیر (1و75/0و5/0و25/0و0 =x ) ...

در این مقاله اندازه گیری های طیف نگاری در محدوده فرکانس khz 10 تا mhz 4 در دماهای متفاوت برای احساسگرهای نیمه رسانا و لایه نازک au/clmgpc/au گزارش شده است. تغییرات رسانائی الکتریکی(a.c) به دست آمده با فرکانس زاویه ای به صورت تابع تغییر می کند. توان n در فرکانس های بالا با تقریب خوبی برابر یک است. اندازه گیری ها در این تجربه مکانیزم رسانائی الکتریکی در دماهای پائین و فرکانس های بالا در این لایه ...

آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...

نیم رساناهای ترکیبی نانوساختار پایدار در مقابل خوردگی نوری از خانواده ی کادمیم-زینک-سولفید به روش هیدروترمال سنتز شد و برای فرایند تخریب نوری آلاینده ی زیست محیطی متیلن بلو (اکسیداسیون پیشرفته تحت تابش نور مرئی) بکار رفت. شکاف نواری نیم رساناهای سنتزی به کمک مطالعات طیف سنجی مرئی-فرابنفش بازتابی نفوذی به روش کوبلکا-مونک تعیین گردید. در بین نیم رساناهای سنتزی، کمترین لبه ی جذب (بیشترین جابجایی ق...