یک دیود نورگسیل از یک لایه فیلم نازک ماده آلی یا غیر آلی تشکیل شده است که بین دو الکترود قرار می گیرد. با اعمال ولتاژ به الکترودها، الکترون ها و حفره ها به لایه آلی وارد می شوند و در آنجا تشکیل اکسایتون می دهند و سرانجام نور تولید شده از دیود خارج می شود. دیودهای نورافشان به دو دسته آلی و غیر آلی تقسیم می شوند. دیودهای نورافشان آلی در دو دهه گذشته مورد توجه بسیاری از جامعه محقیقن قرار گرفته است...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

دراین تحقیق بااستفاده از لیزر nd:yag پالسی، کامپوزیت سازی سطحی به روش درجا از طریق پیش نشست مخلوط پودری گرافیت-نیکل روی سطح آلیاژti-6al-4v انجام شد. ساختار لایه ها و فازهای حاصل از عملیات کامپوزیت سازی سطحی توسط میکروسکوپ نوری (om)، میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (fesem) مجهز به طیف سنجی انرژی پرتو ایکس (eds) و پراش سنجی پرتو ایکس(xrd) بررسی شدند. اثر پارامترهای لیزر روی ابعاد حوضچه مذاب د...

هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک fept نسبت به دمای بازپخت است. لایه های نازک fept به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ                          6 و با توان w 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mtorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک با استفاده ا...

در این پژوهش پوشش کربونیترید تیتانیم روی سطح آلیاژ Ti-6Al-4V به­روش نیتروژن-کربن­دهی نشانده شد و سازوکار جدایش پوشش از زیرلایه مورد بررسی قرار گرفت. به این ­منظور نمونه ­های مکعبی از آلیاژ مد­نظر درون محفظه حاوی گرافیت جاسازی شد و  مجموعه درون کوره تیوبی حاوی گاز نیتروژن قرار گرفت. پس از سنتز پوشش در دماهای1200 تا 1400 سانتی­گراد و زمان­ های 20، 40 و 60 دقیقه، بررسی­های ساختاری با استفاده از پر...

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت،  دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کار...

ایجاد جریان و چرخش درلایه های نازک مایعات به وسیله ی اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی پدیده ایست که در زمینه های مختلف علم و صنعت حائز اهمیت است. کاربردهای گسترده ی این پدیده در شوینده ها، مخلوط کننده ها، سامانه های دارورسانی و ... انگیزه ای برای مطالعه ی این جریان ها و چرخش ها فراهم نموده است. با استفاده از میدان های الکتریکی dc و جریان های الکتریکی مختلف (ac یا dc) می توان چرخش های متفاوت...

لایه های نازک دی اکسید تیتانیوم با ضخامت 280 نانومتر با استفاده از روش کنــــدو پاش مغناطیسیDC روی زیر لایه شیشه تهیه شده اند.برای لایه نشانی از هدف فلز تیتانیوم به صورت ورق و گاز ترکیبی آرگون و اکسیژن و زیرلایه ای با دمای 250 درجه سانتی گراد استفاده شده است. دستگاه پراش اشعه X (XRD) فاز آناتاز را برای نمونه ها نشان داده است و توپوگرافی سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قر...

پارامترهای مختلفی بر روی خواص ساختاری، فازی و همچنین خواص سایشی و خوردگی پوشش کاربید تیتانیم تاثیر گذار هستند. در این رساله با استفاده از روش پلاسما cvd یک لایه نازک کاربید تیتانیم بر روی زیرلایه فولادی اعمال گشته و سپس خواص ساختاری و فازی پوشش کاربید تیتانیم با استفاده از sem، xrd xps ومنحنی رامان و همچنین خواص نانومکانیکی، رفتار سایشی و خوردگی پوشش کاربید تیتانیم به ترتیب با استفاده از afm، ت...

ساختارهای متفاوت بین فازی (Interphase) در مینی کامپوزیت تک جهت SiCf/SiCشرح داده خواهند شد. رفتار بین سطوح توسط روش فرو بردن بررسی می?شود. بار روی انتهای صیقلی یک فیبر در داخل کامپوزیت اعمال شده و جابجایی آن اندازه?گیری می?شود. آزمایش فشردن به داخل (Push-in) روی نمونه?های ضخیم نشان می?دهد که جدایش فیبر در یک تنش مشخص اتفاق افتاده و سپس تحت یک تنش برشی اصطکاکی معین لغزش می?کند. هر دو پارامتر (تنش...