چکیده ندارد.

در این پایان نامه پس از نگاهی به تاریخچه بلورهای فوتونیکی، اثرات اپتیک غیرخطی را بررسی کردیم و سپس نگاهی عمیق به درون بلورهای فوتونیکی انداختیم و فهمیدیم شکافت نواری کامل فوتونیکی برای یک شبکه مربعی چه زمانی حاصل می شود بدلیل سادگی ساختار بلور های فوتونیکی دوبعدی نسبت به بلورهی فوتونیکی سه بعدی ما شبکه های دو بعدی را در نظر گرفتیم. با در نظر گرفتن یک بلور فوتونیکی، که آنچنان ساخته شده است که د...

کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

در این پایان نامه ایده بکارگیری شبه کریستال های فوتونیکی در کریستال های فوتونیکی بمنظور ارائه ساختار جدیدی برای طراحی سویچ تمام نوری بر اساس ساختار های رینگ رزوناتورهای حلقوی پرداخت شده است. در این ساختار پیشنهادی از آرائه ای از شبه کریستال های فوتونیکی به عنوان کاواک استفاده شده است. ساختار رینگ رزوناتورهای حلقوی بر پایه کریستال های فوتونیکی کاربردهای اساسی در مدارات مجتمع نوری دارند.بکارگیری ...

بلور فوتونی محیطی است که تابع توزیع ضریب شکست در آن متناوب و یا شبه متناوب می باشد. بلورهای فوتونی در دهه ی اخیر به خاطر کاربردها و ویژگی های الکترومغناطیسی منحصر به فردشان به یک حوزه ی تحقیقاتی مهمی تبدیل شده اند. با انتخاب آرایش های مختلف از محیط های با خواص نوری معین، ابزارها و ادوات فوتونی طراحی می شوند. ویژگی بارز بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی در طیف تراگسیل می باشد. بطوریکه امواج ال...

در این پایان نامه، تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی را با استفاده از روش های ماتریس انتقال بررسی می کنیم. و برای موجی که با فرکانس های متفاوت از یک ساختار با لایه های متناوب عبور می کند تراگسیل و زمان تاخیر گروه را محاسبه می کنیم جابجایی بعد از تونل زنی را در راستای عمود بر صفحات بلور فوتونیکی محاسبه می کنیم که به ضریب شکست موثر از لایه های متناوب بستگی دارد. سپس ما ساختار بلور ...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی اس...

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب تلوراید جیوه در فاز هگزاگونال مورد بررسی و مقایسه قرار می‌گیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است. . نتایج ساختار نواری نشان‌دهندۀخاصیت نیم‌رسانایی این ترکیب در فاز سینابار می‌باشد. محاسبۀ سهم حقیقی تابع دی‌الکتریک ضریب شکست برای فاز سینابار را 489/4 می‌دهد....

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...