در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...

هدف این پایان نامه دکتری بررسی عملکرد ترانزیستوری دیود اثر میدانی (fed) است. ساختار این دیود مشابه با یک mosfet می باشد، بطوریکه آلایش سورس و درین آن متفاوت بوده و دارای دو گیت بر روی کانال است. این ترانزیستور قابلیت روشن و خاموش شدن با ولتاژ گیتها را دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده از نرم افزار minimos-nt نشان می دهد که این ترانزیستور با ساختار معمولی آن در ابعاد میکرومتری ...

امروزه یکی از کاربرد های مهم ممریستور استفاده از آن به عنوان سیناپس در شبکه های عصبی مصنوعی است. علت آن نیز ساخت متراکم و عملکرد عالی آن به عنوان حافظه آنالوگ است. اما اگر تنها از یک ممریستور به عنوان سیناپس استفاده شود و بدنه سلول یک پالس ژنراتور باشد، در این صورت اگر پالس در پیش سیناپس ایجاد شود جریان از ممریستور عبور کرده و پتانسیل پس سیناپس را افزایش می دهد. با پایان یافتن پالس پیش سیناپسی،...

بسیاری از تقاطع های شهری دارای کنترل ایست دوطرفه هستند. ظرفیت این تقاطع ها به عواملی مانند تعداد خط، عرض خط، شیب مسیر، نوع و درصد وسایل نقلیه و غیره بستگی دارد. یکی از رایج ترین روش های تعیین ظرفیت در تقاطع های بدون چراغ، محاسبه فاصله عبور بحرانی است. در این پژوهش ضمن کوشش برای بومی سازی داده ها و نتایج ، تاثیر وجود سرعت گیر در محل تقاطع و نیز تاثیر شرایط بارانی بر فاصله زمانی بحرانی بررسی گردی...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

در این تحقیق رسانش الکتریکی و چگالی حالت های چندین نانوساختار در رهیافت بستگی قوی به صورت کاملاً تحلیلی مطالعه شده است. در ابتدا نانوساختار شانه-مانند منظم و نامنظم که متصل به دو نیم سیم کوانتومی است در نظر گرفته شده و با استفاده از بازبهنجارش انرژی این دستگاه شانه-مانند به یک زنجیر ساده تقلیل یافته است. در دستگاه شانه-مانند منظم تأثیر عواملی همچون طول دستگاه، تعداد دندانه ها و انرژی جایگاهی دند...

یکی از روش های مفید بررسی عبور حلال ها از نانو کانال ها شبیه سازی دینامیک مولکولی می باشد. در این پایان نامه شبیه سازی دینامیک مولکولی عبور حلال های خالص آب، متانول و اتانول از درون نانولوله ی بور نیترید در دو شرایط جداگانه بررسی شده است که این شرایط عبارتند از: ?- بدون اعمال هیچ نیرویی بر مولکول ها ?- اعمال نیرو به صورت فشار یا میدان الکتریکی در نهایت امکان جداسازی مخلوط حلال های آب/ متان...

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیا...