رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت نوع M با ساختار شیمیایی SrFe12O19 در دماهای 1100-900 درجه سانتی‌گراد با روش‌های هم‌رسوبی و پچینی تهیه شدند. آنالیزهای پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، مغناطومتر نمونه مرتعش (VSM) و تحلیل‌گر برداری شبکه ...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

چکیده: شیشه سرامیک های بدست آمده از تبلور ترکیبات شیشه در سیستم سه تایی cao-sio2-mgo خواص شیمیایی و مکانیکی خوبی از خود نشان داده اند. به همین دلیل این مواد برای کاربردهای زیادی مناسب هستند. همچنین به عنوان یکی از سیستم های شیشه سرامیک با ویژگی های دی الکتریک مطلوب شناخته شده اند. در این پژوهش رفتار تبلور و سینترپذیری شیشه سرامیک سیستم cao-sio2-mgo مورد بررسی قرار گرفت. به منظور انتخاب ترکیب ...

در این پایان نامه، با استفاده از بلور های فوتونی دوبعدی، نحوه طراحی و دست یابی به یکی از اساسی ترین عناصر مدارهای مجتمع نوری یعنی دی مالتی پلکسر تمام نوری بررسی شده است. هدف از این طراحی ها، دستیابی به ساختارهای دی-مالتی پلکسر با مشخصات زیر بوده است: راندمان زیاد انتقال توان در خروجی ها، هم شنوایی کم بین کانال های خروجی، تفکیک پذیری طیفی بالا، ضریب کیفیت زیاد برای هر کانال خروجی، تعداد کانال ها...

در این پایان نامه هدف طراحی آنتن دی الکتریک مستطیلی با پهنای باند پلاریزاسیون دایروی بالا برای پوشش باندهایx و ku بود. به این منظور و بر مبنای مطالب بحث شده ابتدا با استفاده از روش dwm به محاسبه ابعاد rdra پرداخته شد. سپس با انجام بررسی های گسترده بر روی نمونه های متعدد rdra با تغذیه های مختلف نشان داده شد مدهای تحریک پذیر rdra وابسته به منبع تغذیه و موقعیت آن است. در ادامه فلوچارتی برای طرا...

موضوع اصلی این رساله بر معرفی یک پیکربندی جدید برای یک موجبر استوانه ای فلزی استوار است. در این پیکربندی جدید یک لایه ی دی الکتریک که دارای دو ضریب گذردهی توزیع شده درنیم صفحه ی بالا و پایین آن دردیواره ی داخلی موجبر فلزی قرار داده میشود. در این سیستم ادعا بر آن است امواج موج آهسته ظاهر خواهند گردید.

در این مقاله به ارائۀ یک حسگرِ نانوجابه­جایی بر مبنای بلورِ فوتونی دو بعدی با ساختارِ مثلّثی متشکّل از حفره­های هوا داخل مادّۀ دی الکتریک می­پردازیم. این حسگر از دو قطعه بلورِ فوتونی تشکیل شده که یکی از آن ها ثابت و قطعۀ دیگر در راستای افقی حرکت می­کند. شدّتِ نورِ آشکار شده توسّطِ آشکارساز در این ساختار تابعی از جابه­جایی بین دو قطعه است. در این حسگر ضریب کیفیّتِ کاواک برابر45000 و حساسیّتِ حسگر 54/2 در محدودۀ...

خواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتای...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

تکنیک ساده اندازه گیری موجبری جهت تعیین ثابت مختلط مواد دی الکتریک ارائه شده است .نمونه دی الکتریک بار شده در فرکانس باند x بارگذاری میشود. با استفاده از یک تحلیلگر شبکه بهره بازتاب موجبر اتصال کوتاه شده اندازه گیری میشود .بهره گیری از شیوه المان محدود fem منجر به تابعی از ثابت دی الکتریک به عنوان بهره بازتاب موجبر کوتاه شده ( بار گذاری شده با نمونه مورد اندازه گیری ) میشود. بهره گیری از میزان ...