سوئیچ های نانوالکترومکانیک مشابه سوئیچ های نیمه هادی معمولی اند اما اصول عملکرد سوئیچ های نانوالکترومکانیک ونیمه هادی با هم متفاوت می باشد. با توجه به وضعیت بهینه ای که در فناوری سوئیچ های نانو الکترومکانیک وجود دارد می توان آنها را جایگزین فناوری نیمه هادی ها کرد. نکته قابل توجه در این فناوری این است که در ساختار سوئیچ های نانو الکترومکانیک نانولوله های کربنی نقش مهمی را ایفا می کنند چرا که دا...

در این مقاله، یک مدل انتشار موج جدید بر پایه utd برای مسیرهای با پراشهای چندگانه در مخابرات رادیویی موبایل سلولی و محیطهای شهری پیشنهاد می گردد. علاوه بر این، روابط جدید دقیقی برای محاسبه افت پراشهای چندگانه توسط ساختمانها و افت اضافی مسیر استخراج شده و تحلیل می گردند. برای این منظور، فرض می کنیم که ردیفهای ساختمانها دارای سطح مقطع های مستطیلی بوده و ارتفاعها و فواصلشان از همدیگر یکسان است. همچ...

بررسی تقاضاهای تکنولوژی gsi و ulsi حاکی از نیاز ساختارهای چند لایه به کاهش زمان تأخیر انتقال علائم بین سیستمهای نیمه هادی است. این کاهش با استفاده از یک فلز هادی خوب مانند مس و یک غیر هادی کم ظرفیت تر از آنچه هم اکنون استفاده می شود مانند سیکلوتن ممکن است.در این مقاله نتایج حاصل از چسبندگی پوشش تبخیری و پراکنشی مس روی سیکلوتن 3022 بررسی می شود. پس از ارائه واکنشهای فصل مشترک فلز و پلیمر که رابط...

ساختار بلوری نانوذرات قلع(ii) سولفید و قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن، روی بلاند بود. نانوذرات قلع(ii) سولفید رفتار دیامغناطیس و نانوذرات قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن(ii) رفتار فرومغناطیس نرم دارند. میانگین اندازه نانوذرات قلع(ii) سولفید، sn0.9fe0.1s و sn0.8fe0.2s به کمک روش xrd به ترتیب 12.6، 9.8 و 8.5 نانومتر محاسبه شد. اندازه فاصله انرژی با استفاده از روش uv-vis، در نانوذرات قلع(ii) سولفید، ...

در شبکه های مخابرات نوری، تقویت کننده های نوری نیمه هادی عنصر بسیار مهمی بحساب می آیند.از میان انواع مختلف این تقویت کننده ها، تقویت کننده نوری نیمه هادی انعکاسی، به دلیل دارا بودن خصوصیاتی از جمله نرخ خاموشی و بهره نوری بیشتر از اهمیت بسزایی برخوردار است. پالس های انتشاری در محیط تقویت کننده توسط مجموعه ای از معادلات دیفرانسیلی غیر خطی کوپل شده رفت و برگشتی توصیف می شوند که برای حل آنها از رو...

توانایی های مبدلهای کلیدزنی dc-dc، آنها را به جزء لاینفکی از تجهیزات الکتریکی تبدیل کرده است. از جمله این توانایی ها می توان به قابلیت پردازش توان در حجم مناسب ، بازده بالا و سادگی تطبیق با کاربردهای مورد نیاز، اشاره نمود. در کاربردهایی که به یک مبدل dc-dc غیرایزوله کاهنده با توانایی فراهم آوردن جریان بالا با ریپل کم نیاز است، مبدل باک درهم تنیده می تواند به عنوان بهترین گزینه مطرح شود. دلیل ای...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.

ترموالکتریکها دستگاههای حرارتی حالت جامد هستند. آنها نیمه هادیهایی هستند که با استفاده از اثر سیبک تولید جریان الکتریکی و بر اساس اثر پلتیر به عنوان نیمه هادی خنک کننده استفاده میشوند. ترموالکتریک دارای قابلیتهای جالبی در مقایسه با دستگاههای برقی و خنککنندههای معمولی است. عدم وجود قطعات در حال حرکت منجر به افزایش قابلیت اطمینان، کاهش در تعمیر و نگهداری، و افزایش عمر سیستم میشود. عدم وجود سیال ب...

امروزه به دلیل رقابتی شدن صنعت ، مسئله ای که اهمیت زیادی پیدا کرده است ، کاهش هزینه های تولید (به خصوص تعمیر و نگهداری) و همچنین از کار نیفتادن خط تولید کارخانه ها می باشد. هر یک از این دو مشکل هزینه جبران ناپذیری را در پی خواهد داشت. دستگاه های امروزی در صنعت به صورت هوشمند تحت کنترل قرار دارند و اپراتورها و مهندسان تا هنگامی که خطری سیستم ها را تهدید نکند تنها یک نظاره گر هستند و امکان کنترل...