لایه های نانوساختار 2 sno -2 tio به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتی گراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای xrd و sem بررسی گردید. خواص الکتریکی ( i-v ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم...

بر اساس روش متعارف تداخل نوری، با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، ضخامت لایه نازک به دست می آید. جهت افزایش دقت در سنجش ضخامت های کم و کاهش خطاهای اندازه گیری، نمودار شدت فریزها قبل و بعد از فرآیند ایجاد پله، رسم می شود. با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، امکان اندازه گیری ضخامت لایه های نازک از مرتبه چند نانومتر فراهم می شود. همچنین با بهره گیری از جابه جایی نمودار شدت ...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...

لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

با توسعه ریزفناوری میکروماشین­کاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کرده­اند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی­الکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...

ترموپیل‌های لایه نازک برای ساخت انواع حسگر‌های بسیار کوچک، به ویژه برای آشکارسازی پرتوهای حرارتی فروسرخ (IR ) کاربرد فراوان دارند. در این  مقاله نحوة طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Cu به صورت  خطّی و به روش تک لایه با 8  و 11 اتّصال سری، همچنین طرّاحی و ساخت ترموپیل‌های لایه نازک Bi-Sb  و Bi-Cu  دایره‌ای شکل به روش چند لایه‌ای با 100 اتصال سری به عنوان آشکارساز فروسرخ عرضه شده است. در این م...

در این مقاله، لایه ­ های نازک ba0/5sr0/5co0/8fe0/2o3-δ (bscf) روی زیر لایه 3 (sto) srtio (100) به روش لایه نشانی لیزر پالسی ( pld ) در فشارهای مختلف اکسیژن لایه نشانی شد. برای تهیه لایه های نازک، از نانوذرات پودر bscf که با روش سل-ژل با هدف کاربرد در ساخت کاتد پیل سوختی اکسید جامد تهیه شدند، استفاده شد. ساختار بلوری نمونه ­ ها­ توسط پراش پرتو x ، (xrd) مطالعه شد. نتایج xrd نشاندهنده ساختار مکعب...

آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...