لایه های نانوساختار 2 sno -2 tio به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتی گراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای xrd و sem بررسی گردید. خواص الکتریکی ( i-v ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم...

حلقه r را متناهی البعد راست نامیم اگر شامل مجموع مستقیم تعداد نامتناهی ایده آل راست ناصفر نباشد. در فصل اول این پایان نامه ، نشان می دهیم که حلقه چند جمله ای ها روی حلقه با بعد متناهی ، از بعد متناهی است.در فصل دوم ، به مطالعه بعد گلدی و بعد دوگان گلدی برخی توسیع های یک مدول روی حلقه چند جمله ایهای اریب می پردازیم. همچنین با شرطهایی نظیر جابجایی بودن حلقه r و یا یکانی بودن مدول m قضیه هایی را ا...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...

لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

با توسعه ریزفناوری میکروماشین­کاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کرده­اند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی­الکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...

ضخامت لایه های نازک از جمله مهمترین پارامترهای مرتبط با لایه های نازک است ،چراکه تقریباً تمامی خواص آنها را می توان با دانستن ضخامت ، بدست آورد.روشهای اپتیکی و غیر اپتیکی بسیاری برای اندازه گیری ضخامت ابداع شده و مورد استفاده قرار می گیرند.در این تحقیق روش اندازه گیری ضخامت با استفاده از پراش فرنل در بازتاب مورد بررسی قرار گرفته است.نشان داده شده که استفاده از رفتار نمایانی فریزهای حاصل از پراش ...

در این مقاله، لایه ­ های نازک ba0/5sr0/5co0/8fe0/2o3-δ (bscf) روی زیر لایه 3 (sto) srtio (100) به روش لایه نشانی لیزر پالسی ( pld ) در فشارهای مختلف اکسیژن لایه نشانی شد. برای تهیه لایه های نازک، از نانوذرات پودر bscf که با روش سل-ژل با هدف کاربرد در ساخت کاتد پیل سوختی اکسید جامد تهیه شدند، استفاده شد. ساختار بلوری نمونه ­ ها­ توسط پراش پرتو x ، (xrd) مطالعه شد. نتایج xrd نشاندهنده ساختار مکعب...

آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...