نتایج جستجو برای: گالیم نیم رسانا

تعداد نتایج: 7943  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده فنی مهندسی 1387

در این پایان نامه مشخصه های نوری(میدان دور و نزدیک)، حرارتی(توزیع دما) و الکتریکی(چگالی حامل) لیزر نیمه هادی تک چاه کوانتومی آرایه ای بصورت دو بعدی مورد بررسی قرار گرفته است. برای تحلیل رفتار لیزر آرایه ای از دو روش تحلیل اَبَرمد و حل دقیق عددی معادلات استفاده شده که تحلیل ابرمد بر اساس تئوری مُد تزویج شده می باشد و توزیع خروجی کل را بر اساس توزیع تک عنصر و اعمال تزویج بین عناصر مجاور و حل معادلات...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 1976
علی آذریان

هدف از انجام این آزمایشات این است که سرعت دیفوزیون فلز گالیم را در آلومینیم مطالعه کنیم و به عبارت دیگر باید مشخص نمود که در لحظه t فلز گالیم تا چه عمق در فلز آلومینیم پیشروی کرده است در اثر آزمایش می توان با مقایسه نتایج عملی و یک محاسبه نظری صحت رابطه پترسون را مشخص کرد . مطالعه این نوع دیفوزیون نیز از نقطه نظر کیفی برای قضاوت بر روی نظریه های دیفوزیون در مقیاس میکروسکپی بسیار مفیداست . ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1387

لایه های نازک اکسید قلع با ناخالصی فلوئور به روش اسپری پایرولیزیز جایگذاری شدند. نمونه ها با پارامترهایی نظیر: نسبت وزنی مختلف، دمای جایگذاری مختلف، مولاریته محلول مختلف تهیه شدند.برای مورد اول، نسبت وزنی فلوئور به قلع(f/sn) با گام های 0/05 از 0 تا 0/3 تغییر نمود. برای موارد بعدی نمونه با نسبت وزنی 0/05: f/sn در سه دمای متفاوت و سه مولاریته متفاوت جایگذاری شد طیف پراش پرتو x برای4 نمونهبا نسبت ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده شیمی 1392

نیم رساناهای ترکیبی نانوساختار پایدار در مقابل خوردگی نوری از خانواده ی کادمیم-زینک-سولفید به روش هیدروترمال سنتز شد و برای فرایند تخریب نوری آلاینده ی زیست محیطی متیلن بلو (اکسیداسیون پیشرفته تحت تابش نور مرئی) بکار رفت. شکاف نواری نیم رساناهای سنتزی به کمک مطالعات طیف سنجی مرئی-فرابنفش بازتابی نفوذی به روش کوبلکا-مونک تعیین گردید. در بین نیم رساناهای سنتزی، کمترین لبه ی جذب (بیشترین جابجایی ق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران 1380

یکی از روش های مطالعه قطعات نیمرسانا استفاده از نرم افزارهای شبیه سازی است. در تحقیق حاضر ابتدا مهمترین نرم افزارهای شبیه سازی قطعات نیمرسانا مانند ‏‎atlas, spice‎‏ و ‏‎pcid‎‏ معرفی و مورد ارزیابی قرار گرفته است و سپس از چند برنامه موجود برای بررسی پارامترهای یک سلول فوتوولتایی (خورشیدی) استفاده شده است .- از مهمترین نرم افزارهای شبیه سازی می توان به برنامه ‏‎pcid,atlas,spice‎‏ اشاره نمود . - ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1389

در این پایان نامه به بررسی ویژگی های اپتیکی سامانه ی نقطه ی کوانتومی درون میکروکاواک نیم رسانا می پردازیم. در سامانه ی مورد نظر، برهم کنش نقطه ی کوانتومی با تک مد میکروکاواک به تولید اکسیتون (زوج الکترون-حفره ی مقید) می انجامد. برانگیختگی های اکسیتونی تولید شده بسته به اندازه ی نقطه ی کوانتومی که اکسیتون در آن شکل گرفته و چگالی برانگیختگی های تولید شده، از خود رفتار بوزونی یا فرمیونی نشان می ده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان 1390

امروزه تولید و مطالعه نانوساختار ها بویژه نانوساختارهای تک بعدی با ترکیبات مختلف فلزی (آلیاژ)، اکسید ها و نیمه رساناها، با روند رو به رشدی همراه بوده است. هم چنین نسل جدید دستگاه های الکترونی مینیاتوری سبب شده اند که نانوساختارها مورد توجه بیشتری قرار گیرند. در چند سال گذشته سیم های کوانتومی با عنوان نانوسیم ها و نانومیله ها توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. نانو سیم های نیمرسانا دارای خصوصیات...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده شیمی 1391

نیم رسانا ها به دلیل دارا بودن خواص کاتالیزوری، فتوکاتالیزوری، سنسور گازها و ... دارای اهمیت هستند. در این کار تحقیقاتی نانو نیم رسانا های zno و sno2 به کمک روش تخریب ژل آکریل آمید سنتز شد و به منظور اصلاح خواص فتوکاتالیزوری این نیم رسانا ها از روش دوپه کردن عناصر لانتانیدی (sm, la, nd) به روش تخریب ژل آکریل آمید و عناصر واسطه (ag, pd) با استفاده از روش های تخریب ژل آکریل آمید (در مورد هر دو نی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم انسانی و اجتماعی 1388

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید