در این تحقیق رسانش الکتریکی و چگالی حالت های چندین نانوساختار در رهیافت بستگی قوی به صورت کاملاً تحلیلی مطالعه شده است. در ابتدا نانوساختار شانه-مانند منظم و نامنظم که متصل به دو نیم سیم کوانتومی است در نظر گرفته شده و با استفاده از بازبهنجارش انرژی این دستگاه شانه-مانند به یک زنجیر ساده تقلیل یافته است. در دستگاه شانه-مانند منظم تأثیر عواملی همچون طول دستگاه، تعداد دندانه ها و انرژی جایگاهی دند...

در این پایاننامه به کمک روشهای ماتریس انتقال و تابع گرین، در رهیافت بستگی قوی به مطالعهی رسانش الکترونی نانوسیمهای مولکولی با در نظر گرفتن جملههای پرش الکترون بین همسایههای دوم پرداختهایم. نتایج این تحقیق نشان می دهد که در طیف رسانش یک زنجیرهی اتمی، پهنای ناحیهی تشدیدی کاهش یافته و یک گاف انرژی جدید ایجاد میگردد. باافزایش قدرت انرژی پرش الکترون با همسایههای دوم، ناحیهی تونلزنی افزایش مییابد و ش...

‏قصد داریم اثرات رسانش گرمایی را بر ساختار جریان های برافزایشی وشکسان و مقاومتی در حالت تحت غلبه پهن رفت مورد بررسی قرار دهیم. در این تحقیق رسانش گرمایی به شکل اشباع شده در نظر گرفته{می شود}. همچنین وشکسانی و مقاومت مربوط به تلاطم و وابسته به میدان مغناطیسی فرض می شوند. در این حالت ضریب سینماتیک وشکسانی و انتشار مغناطیسی ثابت نیستند. برای توصیف آن ها از مدل استفاده کرده ایم. برای حل معادلات حاک...

در این پایان نامه با ارائه ی یک فرمول بندی بر پایه ی روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی و با انجام محاسبات عددی به بررسی رسانش الکترونی یک زنجیره ی اتمی، لایه ی نازک و یک نانو بلور با ساختار مکعبی ساده در حضور تک ناخالصی الکتریکی و دو قطبی الکتریکی می پردازیم. سپس عواملی مانند قدرت و تغییر مکان ناخالصی، اثر جهت گیری دو قطبی الکتریکی را بر روی رسانش سامانه های مذکور مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج...

در این پایان نامه خواص ترابردی و رسانشی نانونوارهای گرافن چین خورده را با استفاده از روش تنگ بست مطالعه می کنیم. با ظهور چین خوردگی در نانونوارهای گرافن زیگزاگ شکل شکاف های کوچک با رسانندگی صفر و تراز های کوچک با قدرت رسانندگی در اطراف اولین تکینگی ون- هاو مشاهده میشود.همچنین دراین نانونوار در چگالی حالت ها از رسانا به نارسانا میرسیم که هرچه شدت چین خوردگی زیاد باشد عرض گاف بیشتر میشود.درمبحث ج...

حضور ناخالصی های مغناطیسی در فلزات موجب تغییر خواص الکتریکی آن ها می گردد. ما با استفاده از یک مدل ساده به بررسی اثرات پراکندگی ناشی از حضور ناخالصی های مغناطیسی بر رسانش نانولوله های تک دیواره کربنی می پردازیم. این مدل ساده عبارت است از استوانه ای فلزی که تعداد کمی ناخالصی مغناطیسی بر روی سطح آن قرار گرفته اند. بخش غیر خطی رسانش (اثر کاندو) را که حاصل برهم کنش الکترون های رسانش با ناخالصی هاست...

برهمکنش های فوق ریز در مکان اورانیوم از ترکیب آنتی فرومغناطیس usb2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اوربیتالهای موضعی (apw+lo) بررسی شده اند. میزان جایگزینی الکترونهای ƒ در این ترکیب مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که الکترونهای 5ƒ تمایل دارند به خوبی با الکترونهای رسانش هیبرید شوند.

ما برای یا نانو نوار گرافین به ابعاد 20*5 نانومتر مقدار ضریب رسانش را برابر w/mk 261/1بدست آوردیم. مشاهده کردیم با افزایش دما ضریب رسانش گرمایی نخست افزایش می یابد و سپس شروع به کاهش می کند.با افزایش درازا نیز ضریب رسانش به شکل توانی افزایش مییابد. در بخش مکانیکی مدول یانگ را برای یک نانو نوار گرافین به همین ابعاد 1.09tpa بدست آوردیم. دیدیم با افزایش دما مدول یانگ زیاد شده ولی در دماهای بیشتر ا...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه، مسائل کنترل بهینه ی توزیعی و مرزی مقید به معادله ی دیفرانسیل با مشتقات جزئی ‏رسانش گرما با شرایط مرزی دیریکله، نئومان و رابین مورد حل عددی قرار گرفته است. هدف از حل عددی ‏این مسائل، یافتن تابع کنترلی است که علاوه بر برقرار کردن معادله ی رسانش گرمای موجود در شرایط ‏محدودیت مسأله ، ‏منجر به مینیمم شدن تابعک مسأله می گردد. علاوه بر وجود معادله ی دیفرانسیل رسانش گرما، قید ‏نامساو...