نتایج جستجو برای: لایه ی نازک

تعداد نتایج: 121449  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک 1392

در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکو‍‍‍پ الکترونی روبشیاثر میدان (fesem)و جذب نوری (uv-vis)مشخصه یابی شده اند. لایه ها دارای خواص بس بلور و یکنواخت با جهت گیری...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
نرگس بیگ محمدی n beigmohammadi nuclear science and technology research centerسازمان انرژی اتمی ایران محمدهادی ملکی mh maleki nuclear science and technology research centerسازمان انرژی اتمی ایران

لایه های نانوساختار 2 sno -2 tio به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتی گراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای xrd و sem بررسی گردید. خواص الکتریکی ( i-v ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
امیر سبزعلی پور a sabzalipour university of tehranدانشگاه تهران محمدرضا محمدی زاده mh mohammadizadeh university of tehranدانشگاه تهران

بر اساس روش متعارف تداخل نوری، با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، ضخامت لایه نازک به دست می آید. جهت افزایش دقت در سنجش ضخامت های کم و کاهش خطاهای اندازه گیری، نمودار شدت فریزها قبل و بعد از فرآیند ایجاد پله، رسم می شود. با اندازه گیری میزان جابه جایی فریزهای تداخلی، امکان اندازه گیری ضخامت لایه های نازک از مرتبه چند نانومتر فراهم می شود. همچنین با بهره گیری از جابه جایی نمودار شدت ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1391

اکسید تنگستن به دلیل دارا بودن خواص گازوکرومیک، به طور گسترده ای برای ساخت حسگرهای اپتیکی گاز هیدروژن مورد توجه قرار گرفته است. در فرایند گازوکرومیک، هنگامی که اتم های هیدروژن به شبکه ی لایه ی نازک اکسید تنگستن تزریق می-شوند، رنگ لایه از شفاف به آبی تیره تغییر می کند. این فرآیند برگشت پذیر است و هنگامی که لایه ی نازک رنگی شده در معرض گاز اکسیژن قرار گیرد، شفاف می شود. مطالعات پیشین نشان داده اس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده علوم پایه 1389

در این پایان نامه، لایه های نازک mgf2 بر روی زیر لایه bk7 و لایه های نازک al و ag بر روی لام میکروسکوپی توسط روش تبخیر در خلأ با استفاده از باریکه الکترونی لایه نشانی شدند. سپس به منظور بهبود خواص فیزیکی نمونه های تهیه شده از روش (lsp) laser shock peening بر روی آن ها توسط لیزر اگزایمر آرگون فلوراید با طول موج 193 نانومتر، انرژی mj 110 و بسامد hz1 با پالس های مختلف استفاده شد. روش lsp روشی است ...

ژورنال: :علوم و مهندسی سطح ایران 0
اکبر اسحاقی دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر اکبر داودی دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه سمنان محمد تجلی دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه سمنان امید میرزایی دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، دانشگاه سمنان

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2014
محمد مهدی سمندری کارن ابری نیا عباس اکبرزاده

اتصال چرخشی یکی از روشهای تولید لوله های دولایه، بر مبنای فرآیند فلوفرمینگ، می باشد. این روش جدید دارای پتانسیل بالایی در تولید لوله های دوفلزی جدار نازک و بدون درز است. با استفاده از این روش، آلومینیم (به عنوان لایه ی داخلی یا لایه ی روکش)، و فولاد (به عنوان لایه ی خارجی)، با موفقیت اتصال داده شد و لوله های کامپوزیتی لایه ای تولید شدند. به عنوان پارامترهای مهم برای ایجاد یک اتصال مناسب، اثر پا...

لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

ضرغام اسداللهی عبدالجواد نوین روز پروین بلاش آبادی

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید