نتایج جستجو برای: کامپوزیت al al2o3

تعداد نتایج: 457890  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی 1393

در میان کامپوزیت های زمینه فلزی کامپوزیت آلومینیوم و کاربید سیلیسیم به دلیل داشتن مجموعه ای از خواص مطلوب آلومینیوم و آلیاژ های آن از قبیل چگالی پایین، هدایت الکتریکی و گرمایی خوب و خواص مکانیکی مناسب همراه با برخی از خواص کاربید سیلیسیم مانند سختی بالا، چگالی پایین و ضریب انبساط حرارتی کم از بقیه کامپوزت ها بیشتر مورد تحقیق قرار گرفته اند. کامپوزیت های al/sic را می توان از طرق مختلف تهیه نمود ...

2012
Navneet Singh

Our aim of is to develop a processing method for a rotating disc made of functionally graded materials (FGM), by stacking the slurry, layer by layer in a radial direction. A three-layer functionally graded material of Al/Al2O3 is fabricated with compositions of 10, 20, 30 vol.% Al2O3. The ceramic composition increases from the discs inner (centre) to the outer. The combination of these material...

Excellent mechanical properties and fatigue performance of Al/Al2O3 metal-based nanocomposites caused to introduce this material as a good candidate for various applications. In this regard, the preparation and characterization of this composite can be considered as a hot issue for research. The study was carried out in several steps including: (i) preparation of Al/Al2O3 metal-based nanocompos...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مواد 1388

ترکیب بین فلزی fe3al دارای خواص مطلوبی نظیر سختی بالا، نقطه ذوب بالا، چگالی نسبتاً پایین، خواص خوردگی و اکسیداسیون دمای بالای مطلوب و استحکام تسلیم مناسب تا دمای 600 درجه سانتیگراد می باشد. مشکلات اساسی این ترکیب تردی شدید در دمای محیط، مقاومت خزشی پایین در دمای بالا و همچنین افت استحکام در دمای های بالای 600 درجه سانتیگراد می باشد. این مشکلات را می توان تا حد زیادی از طریق افزودن عنصر آلیاژی سو...

ژورنال: مواد نوین 2013
ابوالقاسم عطایی امین ربیعی‌زاده علی‌محمد هادیان

تف‌جوشی کامپوزیت Al2O3-TiB2 بمنظور تولید قطعه‌ای با چگالی و استحکام بالا به دلیل پیوند‌های مستحکم کووالانسی و ضریب نفوذ پایین اجزا با مشکلاتی همراه است. انتظار می‌رود تولید کامپوزیت به صورت ذرات ریزی که به صورت همگن در زمینه توزیع شده باشد، می‌تواند مشکل تف‌جوشی این ماده را مرتفع سازد. در این پژوهش تف‌جوشی نانوکامپوزیت Al2O3-TiB2 که با دو روش مکانوشیمیایی و سل- ژل/مکانوشیمیایی تولید شده مورد بر...

2018
Huamin Liu Wenchi Pan Kuo Huang Yan Liu Jiaan Liu

The present work investigates the compressive property of Al matrix composite foams at different temperatures between room temperature and 200 ◦C. Elevated temperature results in a decreased compressive strength and energy absorption capacity of as-received Al foams. Therefore, to maintain the compressive property, the Al2O3 ceramic coating was deposited on the Al struts of the foams by the pla...

2017
Jie Sun Na Lin Cheng Tang Hao Ren Xian Zhao

The chemical degradation of exfoliated black phosphorus (BP) when exposed to ambient conditions can be effectively suppressed via the deposition of Al2O3 dielectric on the BP surface. A good understanding of the interactions between the BP layer and Al2O3 dielectric is important for practical device applications. In the presented paper, first principles calculations have been performed to study...

2006
Qiang Fu Thomas Wagner Manfred Rühle

X-ray photoelectron spectroscopy was applied to study the hydroxylation of a-Al2O3 (0001) surfaces and the stability of surface OH groups. The evolution of interfacial chemistry of the a-Al2O3 (0001) surfaces and metal/a-Al2O3 (0001) interfaces are well illustrated via modifications of the surface O1s spectra. Clean hydroxylated surfaces are obtained through waterand oxygen plasma treatment at ...

2005
S Oh K Cicak R McDermott K B Cooper K D Osborn R W Simmonds M Steffen J M Martinis D P Pappas

We have developed a two-step growth scheme for single-crystal Al2O3 tunnel barriers. The barriers are epitaxially grown on single-crystal rhenium (Re) base electrodes that are grown epitaxially on a sapphire substrate, while polycrystalline Al is used as the top electrode. We show that by first growing an amorphous aluminum (Al) oxide layer at room temperature and crystallizing it at a high tem...

Journal: :The Journal of chemical physics 2017
Jaime W DuMont Steven M George

The thermal atomic layer etching (ALE) of Al2O3 can be performed using sequential and self-limiting reactions with trimethylaluminum (TMA) and hydrogen fluoride (HF) as the reactants. The atomic layer deposition (ALD) of AlF3 can also be accomplished using the same reactants. This paper examined the competition between Al2O3 ALE and AlF3 ALD using in situ Fourier transform infrared (FTIR) vibra...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید