نتایج جستجو برای: آرایه‌ی نانونوک‌های سیلیکانی

تعداد نتایج: 21  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1390

در این پایان نامه از نانولوله های کربنی به عنوان کاتد سرد در ساخت حسگر فشار گاز استفاده شده است. نانولوله ها به صورت عمودی به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی-پلاسمایی روی زیر لایه سیلیکانی ریزماشینکاری شده رشد داده شده اند. رشد نانولوله ها در الگوهای ریزماشینکاری شده با استفاده از دستگاه sem بررسی شده است و تأثیر شرایط فرآیند رشد بر کیفیت لایه نانولوله ها بررسی شده است. حسگر فشار از غشاء سیلیکانی ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی شیمی 1392

اولفینها در سطح وسیعی از شکست حرارتی ترکیبات سبک هیدروکربنی مانند اتان، پروپان، بوتان و یا مخلوط آنها به دست میآید. اتیلن نیز به عنوان سبک ترین ترکیب اولفین از شکست حرارتی اتان، نفتا یا گازوئیل به دست میآید. با توجه به دسترسی بیشتر به اتان، معمولا اتان بهترین خوراک برای تولید اتیلن است. قابل ذکر اینکه بازده تولید اتیلن و همچنین انتخاب پذیری اتیلن نسبت به ترکیبات سنگینتر در محصولات شکست حرار...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammadreza hajmirzaheydarali nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. meharnosh . sadeghipari nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. samana soleimani-amiri nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. mahdi akbari nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. alireza shahsafi nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran hosen hajhosseini nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. fhatama salehi

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

ژورنال: :علوم و مهندسی سطح ایران 0

بررسی برروی پارامترهای فشار عملیاتی و توان فرایند کندوپاش فلز مولیبدنیوم برروی مقاومت لایه ی نازک ایجاد شده برروی زیرلایه ی شیشه انجام گرفته و مقدار مناسب پارامترهای لایه نشانی تعیین شده اند.  آرایه ی نانونوک های سیلیکانی از پیش ساخته شده طی فرایندی چند مرحله ای، در محیط خلا قرار داده شده است و به منظور کاهش تابع کار گسیل کننده ها، لایه ای از فلز مولیبدنیوم به روش کند و پاش و بر اساس پارامترهای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

در این پایان نامه، هدف پیاده سازی یک ریزسیستم 16 کاناله ثبت سیگنال عصبی مبتنی بر مدولاتور دلتا سیگما می باشد. با توجه به این که این سیستم در بدن قرار می گیرد لازم است که دارای توان مصرفی و سطح اشغالی کمینه باشد. برای این منظور سعی شده است که برای بخش تقویت کننده و فیلترینگ یک طراحی بهینه در جهت کاهش توان مصرفی و سطح سیلیکانی صورت پذیرد. کلیه شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار hspice و تکنول...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1392

کاربردهای سلول های خورشیدی اکنون بخش مهم ولاینفک زندگی روزمره ما را تشکیل می دهند و در بسیاری از صنایع و تکنولوژی روز جهانی، به بهره برداری رسیده اند. سلول های خورشیدی بر پایه سه نسل اول، دوم و سوم تولید شده اند. نسل اول شامل ساختارهای سیلیکانی ساده با پیوند p-n است. نسل دوم شامل سلول های لایه نازک می باشد که بر اساس لایه نشانی بر روی شیشه و یا مواد دیگر به دست می آید. در سال های اخیر، تکنولوژی...

در این مقاله، یک سلول ‌خورشیدی ناهمگون با دو لایه ذاتی ریز‌بلوری با استفاده از نرم‌افزار AFORS-HET طراحی و بهینه‌سازی شده است. ساختار شبیه‌سازی به صورت TCO/a-Si:H(n)/µc-Si:H(i)/c-Si(p)/µc-Si:H(i)/BSF/TCO/Ag می‌باشد. با ثابت فرض کرن ضخامت لایه امیتر و لایه میدان سطحی تحتانی (BSF) اثر پارامتر‌های مختلفی مانند: تغییر ضخامت لایه ذاتی تحتانی، ضخامت ویفر، نقص چگالی لایه واسط و با استفاده از سه نوع مخ...

ژورنال: :علوم و فناوری فضایی 0
م. طاهربانه ع. فاسونیه چی ش. کرباسیان ر. امجدی فرد

در این مقاله اثرات عوامل مداری ـ محیطی بر دریافت حداکثر توان از سلول های خورشیدی سیلیکانی درمدارهای مختلف بررسی شده است. بررسی شامل اثرات تشعشع، تابش و حرارت بر مشخصه های الکتریکی سلول در دو مدار geoو leoاست. افزودن اثر تشعشع به مدل تک دیودی سلول، پیاده سازی مدل توسط نرم افزار matlab، تأیید مدل با داده های موجود، شبیه سازی اثر تشعشع در شرایط تابشی و دمایی am0، geoو leoو مقایسه مشخصه های سلول در...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید