نتایج جستجو برای: ابرشبکه های نیمرسانا

تعداد نتایج: 478024  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فاطمه مقدم f. moghadam research institute of applied sciences (acecr)پژوهشکده علوم پایه کاربردی جهاد دانشگاهی مهدی اسماعیل زاده m. esmaeilzadeh department of physics, iran university of sciences & technology, tehranدانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران

در این مقاله ترابرد الکترونها در ریزنوار یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی که در راستاهای متفاوت بر ابرشبکه اعمال می شوند, مورد بررسی قرار گرفته است. نمودارهای سری زمانی و نمای لیاپانوف با استفاده از روش رانگ- کوتای مرتبه چهارم محاسبه شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که برای مقادیر معینی از پارامترها که وابسته به خصوصیات ابر شبکه و میدانهای اعمال شده بر آن است, الکترو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1389

سیستمهای دینامیکی آشوبناک یکی از اساسی ترین مباحث فیزیک نظری می باشد،که آغاز مطالعات این محاسبات به اواسط سالهای 1600بر می گردد.با توجه به کاربرد سیستمهای دینامیکی آشوبناک در نظریه پژوهش داده ها،ارتباطات دیجیتالی،فشرده سازی داده ها و....،همواره مورد توجه محققان فیزیک و اغلب پژوهشگران رشته های ریاضی ومهندسی بوده است . سیستمهای دینامیکی به دو صورت می باشند: سیستمهای دینامیکی خطی که به روش حل م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران - دانشکده علوم 1379

ابرشبکه یک نیمرسانای شبه دوبعدی است که از تکرار متوالی دو لایه نازک نیمرسانا با گاف انرژی متفاوت شکل می گیرد. تکنیک ساخت آن ها بروش اپیتکسی باریکه مولکولی (mbe) می باشد متداولترین آنها، ابرشبکه های alxga1-xas/gaas می باشد که gaas بعنوان چاه کوانتومی و algaas نیز سد پتانسیل می باشد. نامتجانس بودن گاف انرژی سبب تشکیل پتانسیل دوره ای می شود و این پتانسیل نیز سبب ساختار باند انرژی بخصوصی می شود که ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده علوم 1393

یکی از ویژگی های جالب نانولوله ها مشاهده ی ناحیه ی رسانندگی دیفرانسیلی منفی در آنها می باشد که به صورت عکس رابطه ی استاندارد جریان-ولتاژ تعریف می شود. رسانندگی دیفرانسیلی منفی، در مواد مختلفی مانند ابرشبکه های نیمرسانا مشاهده شده است. در نانولوله-های کربنی در دمای اتاق تحت شرایطی و در گستره ی معینی از شدت میدان الکتریکی پیش-بینی شده است. در این پژوهش، به منظور بررسی رسانندگی دیفرانسیلی منفی در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1388

برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...

کلیدزنی اپتیکی نیمرسانا از تابش لیزری کربن دی اکسید در طول موج 6/10 میکرومتر روش ساده تری را نسبت به روش های دیگر تولید تپ های فوق کوتاه پیشنهاد می کند. این روش بر سوار کردن خواص بازتابی و عبوری نیمرسانا توسط کنترل اپتیکی چگالی بار حاملین آزاد قطعه نیمرسانا پایه گذاری شده است.  در این پژوهش، بازتابندگی آینه پلاسمایی برای مواد نیمرسانای  و به هدف بازتابش فروسرخ  به ازای تابش کنترلی nm 616 گزارش ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
آنتونیو بیانکونی a bianconi università di roma "la sapienza", p. aldo moro 2, 00185 roma, italyدانشگاه رم، رم، ایتالیا

نشان داده شده است که تشدیدهای شکل فشباخ در جفت شدگی بین باندی در ابرشبکه های ابررسانای چاههای کوانتمی یا نوارهای کوانتمی، فراهم آورنده سازوکار ابررسانایی دمای بالا است. بسته به ساختار مواد، این سازوکار باعث تقویت tc می شود: ابرشبکه های چاههای کوانتمی (گرافیت بین لایه ای یا مواد دارای دو اتم بور)، و ابرشبکه های نوارهای کوانتمی (پرواسکایتهای مسی آلاییده شده با دمای گذار بالا) که در آن پتانسیل شیم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1393

ابر شبکه ها ساختارهای متناوب از دو ماده هستند که ضخامت این لایه ها حدود چند نانومتر است، این قطعات دارای کاربردهای وسیعی هستند از جمله می توان به ساخت آشکارسازهای نوری و تقویت کننده ها و نوسان کننده های الکتریکی اشاره کرد. یکی از مزیت های استفاده از ابر شبکه ها، وابستگی ساختار نواری به مشخصه های ماده کپه ای و همچنین ساختار هندسی ابر شبکه است. در ابرشبکه های نوع ii به دلیل شکل پروفایل نواری آنها...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محمود علومی m. oloumi 1. department of physics, urmia university, urmia, islamic republic of iranگروه فیزیک، دانشگاه ارومیه س. س. ماتهای c. c. matthai department of physics and astronomy, cardiff university, p.o. box 913, cardiff, cf2 3yb, ukگروه فیزیک و نجوم، دانشگاه کاردیف، انگلستان ث. اچ. شن t. h. shen department of physics and astronomy, cardiff university, p.o. box 913, cardiff, cf2 3yb, ukگروه فیزیک و نجوم، دانشگاه کاردیف، انگلستان

مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته inga as / ga as توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری (ظرفیت و رسانش) را بر حسب کرنش و ترکیب in در این سیستم تعیین نماییم. علاوه بر این, نشان داده ایم که ناپیوستگی نواری را می توان با معرفی یک لایه ge در ناحیه فصل مشترک کنترل نمود.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید