با توجه به اهمیت و کاربردهای ویژه نانوسیم های آلیاژی مغناطیس-غیرمغناطیس در افزایش ذخیره ی اطلاعات حافظه های مغناطیسی عمودی و هم چنین در پدیده gmr، اقدام به ساخت آرایه نانوسیم های مغناطیسی cozn در قالب حفره دار آلومینا کردیم. در این روش، ابتدا نانوحفره های منظم با آرایش شش گوشی با قطر 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای 100 نانومتر، با روش آندایز دومرحله ای ساخته شدند. سپس نانوسیم های cozn به روش الک...

با توجه به قابلیت کاربرد نانوسیم ها در محیط های ثبت مغناطیسی چگالی بالا و gmr و با توجه اینکه اضافه کردن یک ماده غیر مغناطیسی به ماده مغناطیسی می تواند روش خوبی در کاهش برهمکنش های مغناطواستاتیک باشد تصمیم به ساخت نانوسیم های fezn گرفتیم. ساخت نانوسیم ها در دو مرحله انجام شد. در مرحله اول قالب آلومینا توسط آندیزاسیون دو مرحله ای ساخته شد و سپس یون های fe و zn با روش الکترونهشت پالسی ac در نانو...

نانوسیم های مغناطیسی آلیاژی در سال های اخیر، بواسطه ی خواص gmr فوق العاده ای که در چند لایه های مغناطیسی / غیر مغناطیسی از خود نشان می دهند، به طور گسترده مورد تحقیق واقع شده اند. به-منظور بهینه سازی شرایط الکترو انباشت برای ساخت و آماده سازی چند لایه های مغناطیسی /غیرمغناطیسی، اثر شرایط الکتروانباشت پالسی روی کاهش مغناطش نانوسیم های آلیاژی fecocu در غلظت های مختلف cu مورد بررسی و مطالعه قرار د...

در دهه ی اخیر، نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی مرکز توجه بسیاری از فعالیت ها واقع شده اند که به دلیل کاربردهای وسیع شان در زمینه های مختلف به خصوص دستگاه های ضبط مغناطیسی با چگالی فوق العاده بالا، gmr و ... می باشد. در این پروژه به ساخت و توصیف مشخصه های نانوسیم های سه آلیاژی مغناطیسی cofezn پرداخته شده است. روش ساخت این نانوسیم ها مشتمل بر دو بخش است:1) تهیه قالب آلومینیوم آندی به روش آندیزاسیون ن...

ساخت نانوسیم های فرومغناطیس – غیرمغناطیس چندلایه نیکل- مس در قالب آلومینای حفره دار (تهیه شده با روش آندایز نرم) با استفاده از فرآیند الکتروانباشت پالسی متناوب بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری چند لایه ای نیکل – مس با تغییر ضخامت لایه مغناطیسی بوسیله تغییر تعداد پالس مربوط به نیکل و تغییر مقدار مس موجود در محلول الکترولیت و همچنین تغییر مدت زمان عریض سازی نانوحفره ها

نانوسیم‏ها ساختاری ‏یک بعدی هستند که به علت نسبت سطح به حجم بالا در سال‏های اخیر مورد توجه قرار گرفته‏ اند. در این میان، نانوسیم‏ های مغناطیسی با توجه به کاربردهای مختلفی که در صنایع الکترونیک، حافظه‏های مغناطیسی، بیوتکنولوژی، پزشکی و داروسازی دارند، از اهمیت ویژه‏ای برخوردار هستند. بر این‏ اساس در این پروژه نانوسیم‏های مغناطیسی آهن در قالب آلومینای آندی توسط روش الکترونهشت پالسی ساخته شده‏ اند...

در میان نانوسیم‏های مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیم‏های کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیم‏ها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایه‏ی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایه‏ی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار ...

آرایه نانو سیم های کبالت به روش الکترو نهشت شیمیایی متناوب در قالب آلومینای حفره دار ساخته شد‍ و تاثیر پارامترهای فرکانس الکترونهشت و ph الکترولیت در الکترو نهشت با ولتاژهای کاهش- اکسایش متقارن 18-18 و نامتقارن 18-12 ولت مورد مطالعه قرار گرفت. بررسی خواص مغناطیسی و میکروساختاری آرایه نانو سیم ها نشان داد که رابطه مستقیم بین مغناطش اشباع بر واحد سطح و وادارندگی و نسبت مربعی نمونه ها وجود دارد به...

در این تحقیق برای اولین بار نانوسیم های کبالت به روش الکترونهشت پالسی مستقیم در داخل نانو حفره های آلومینای حفره دار که به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شده بود رشد داده شد. برای فراهم آمدن شرایط نهشت به روش مستقیم، لایه سدی آلومینای حفره دار در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا 2 ولت نازک گردید و سپس الکترونهشت پالسی مستقیم در اسیدیته های مختلف 4، 5/4، 75/4، 5، 25/5، 5/5 و 6 و در زم...

نانوسیم های آلیاژی nicu به روش الکترونهشت پالسی نامتقارن بر روی زیرلایه ی zn در قالب آلومینای آندی تهیه شده به روش آندیزاسیون سخت ساخته شد. با استفاده از الکترولیت های با غلظت مختلف cu2+و همچنین تغییر ولتاژ کاهش الکتروشیمیایی نانوسیم های x-1 nixcu با 5/0 -25/0 x = و قطر حدود 50 نانومتر به دست آمد. نتایج اندازه گیری اشعه ی x نشان داد که در نمونه های مورد بررسی دو فاز بلوری مرکز وجهی نیکل و فاز ب...