در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابت nm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) با زاویه نور خراشان، برای مشخصه یابی ...

ناهمواری سطح لایه در بررسی خواص ساختاری لایه های نازک از اهمیت فراوانی برخوردار است. لایه های نازک اکسید ایندیوم قلع (ito) مورد استفاده در این تحقیق در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو با الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده اند. ضخامت لایه ها 100، 170، 250 و 350 نانومتر می باشد. اثر ضخامت بر روی مورفولوژی سطح لایه ها در حالت آمورف (بی شکل) مورد بررسی قرار گرفت. . نتایج ما نش...

 In this study, indium-tin-oxide thin films in different thickness ranges were prepared by electron beam evaporation method on the glass substrate at room temperature. The thicknesses of films were 100, 150 and 250nm. Using fractal analysis, morphological characteristics of surface films thickness in amorphous state were investigated. The results showed that by increasing thickness, surface rou...

لایه نازک اکسید ایندیوم (in2o3) دو ویژگی تراگسیل نوری و رسانندگی الکتریکی را به طور همزمان دارا می باشد. با اضافه کردن ناخالصی قلع، لایه نازک اکسید ایندیوم آلاییده به قلع (ito) به دست می آید که خواص فیزیکی آن بسته به روش ساخت بهینه می شود. امروزه برای دستیابی به خواص مطلوب، افزایش درصد کمی ناخالصی فلزی به لایه های نازک ito مورد توجه قرار گرفته است. در این پروژه افزایش لایه میانی نقره با ضخامت ت...

اکسید ایندیوم in2o3 بطور ذاتی یک نیمه رسانای شفاف است که خواص الکتریکی واپتیکی آن رامی توان با افزودن ناخالصی به آن تغییر داد. این خواص به نوع ناخالصی حساس اند و با افزودن ناخالصی به آن به رسانایی بالاتر و مقاومت سطحی کمتر می رسیم. برای مثال افزودن قلع به آن سبب می شود بخاطر چگالی بالای الکترونهای آزاد در باند رسانش رفتار شبه فلزی از خود نشان دهد. اکسید ایندیوم قلع به این دلیل که به طور هم زمان...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ito ) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 100 ، 150 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح ( rms ) w و طول همبستگ...

در این مقاله روشی سریع و بهینه برای کاهش زبری سطحی قلع اکسید آلاییده شده با فلور (fto) با استفاده از نانوذرات موجود در خمیر دندان ارایه شده است. پایداری فیزیکی و شیمیایی بالای fto نسبت به دیگر رساناهای شفاف اکسیدی (tco) همانند ایندیوم قلع اکسید (ito)  باعث می شود که از آن ها در قطعات الکترواپتیکی استفاده شود. اما به دلیل بالا بودن ضخامت آن نسبت به ito و شرایط ساخت آن معمولا زبری زیادتری نسبت به...

در این مقاله روشی سریع و بهینه برای کاهش زبری سطحی قلع اکسید آلاییده شده با فلور (FTO) با استفاده از نانوذرات موجود در خمیر دندان ارایه شده است. پایداری فیزیکی و شیمیایی بالای FTO نسبت به دیگر رساناهای شفاف اکسیدی (TCO) همانند ایندیوم قلع اکسید (ITO)  باعث می‌شود که از آن‌ها در قطعات الکترواپتیکی استفاده شود. اما به دلیل بالا بودن ضخامت آن نسبت به ITO و شرایط ساخت آن معمولا زبری زیادتری نسبت به...

: در این تحقیق برای اولین بار، افزودن اکسید مس به سیستم وریستور اکسید قلع دوپ شده با کبالت، کروم و نئوبیوم برای کاربرد ولتاژ پایین بررسی و با وریستور تجاری بر پایه اکسید روی مقایسه شد. الگوی پراش اشعه ایکس و تصاویر میکروسکوپ الکترونی در وریستور اکسید قلع نشان داد که وریستور اکسید قلع تکفاز است و اندازه دانه متوسط در آن 10 میکرومتر است در حالیکه وریستور اکسید روی چند فازی بوده و شامل اکسید روی، ...

     با استفاده از روش رسوب الکتروشیمیایی، لایه­های نازک سولفید قلع (SnS) خالص و آلایش یافته با ایندیوم از یک محلول آبی تهیه شدند. دمای حمام، زمان لایه­نشانی، پتانسیل انباشت لایه و pH به ترتیب ℃ 60، 30 دقیقه، V 1- و 1/2 بودند. لایه­های نازک تهیه شده با استفاده از روش­های پراش پرتو X (XRD)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (FESEM)، نورتابناکی (PL) و طیف نگاری UV-vis مشخصه­یابی شدند. الگوهای XRD نشان داد...