بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...

مناسب ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست یابی به پاسخ امپدانسی مناسب تر به وسیله آلیاژهای آمورف، روش های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان نامه بازپخت میدانی-جریانی روی نمونه انجام گرفته است و اثر آن بر روی امپدانس مغناطیسی و نامتقارنی امپدانس(ami) بررسی شده است....

اثر امپدانس مغناطیسی به صورت تغییرات امپدانس یک رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسیخارجی تعریف می شود. مطالعه و بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. اثر امپدانس مغناطیسی در مواد مختلفی مشاهده شده است اما در این میان مواد نانوساختار به علت خواص غیر معمول مغناطیسی، الکتریکی و اپتیکی و همچنین تنوع در روش‏...

اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...

کشف اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ (gmi) در فیلم‎ها و سیم‎های مغناطیسی نرم، افق جدیدی را در توسعه‎ی حسگرهای میکرومغناطیسی به فعالیت در آمده در محدوده‎ی نانو تسلا گشود. امپدانس مغناطیسی بزرگ یکی از نویدبخش‎ترین اثرات ترابرد مغناطیسی می‎باشد که بدلیل کاربردش درحسگرهای میدان مغناطیسی بسیار حساس، مهم است. اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ شامل تغییرات بزرگ در هر دو قسمت حقیقی و موهومی امپدانس، تحت اعمال میدان ...

نتایج این پایان‏نامه نشان می‏د‏هد که هر چند آلیاژهای آمورف خام (بازپخت نشده) خود کاندید مناسبی برای اثر امپدانس مغناطیسی می‏باشند با بازپخت می‏توانیم خواص مغناطیسی مواد را اصلاح کرده به طوری که نرمی و نفوذپذیری مغناطیسی را افزایش، و تنگش مغناطیسی را کاهش داد و در آنها ساختار نانو و ناهمسانگردی مغناطیسی، القاء و ایجاد کرد. بازپخت در محیط هوا باعث اکسید شدن سطح نمونه و ایجاد نانوبلورک‏های سطحی می...

در این تحقیق تاثیر محیط کوئنچ پس از آستنیته کردن، محیط کوئنچ پس از بازپخت و انجام بازپخت در دو مرحله بر استحکام تسلیم، استحکام کششی و درصد ازدیاد طول فولاد کم آلیاژ AISI 4130 شامل عناصر آلیاژی کروم، منگنز و سیلیسیوم بررسی شد. دمای آستنیته کردن 880 درجه سانتی گراد در زمان 20 دقیقه، دمای بازپخت اول 480 درجه سانتی گراد در زمان 120 دقیقه و دمای بازپخت دوم 430 درجه سانتی گراد در زمان 60 دقیقه انتخا...

فیلم های نازک اکسید تنگستن با استفاده از محلول آبی پروکسوتنگستیک اسید از طریق تکنیک الکتروانباشت روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده با اکسید قلع لایه نشانی می شوند. فیلم ها بر حسب تابعی از دمای بازپخت (°c60، °c100،°c250 و°c400)بررسی می شوند. فیلم ها به وسیله میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی، چرخه ولتامتری واسپکترومتر uv-visible اندازگیری می شوند. فیلم ها عبور بالایی در ناحیه مرئی از خود نشان دادند. ...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...

هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک FePt نسبت به دمای بازپخت است. لایه‌های نازک FePt به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ                          6 و با توان W 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر Torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mTorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه‌ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک ب...