در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

پهنای باند امپدانسی آنتن­های پچ میکرواستریپ می­تواند با استفاده از شکاف u شکل و تغذیه تزویج مجاورتی افزایش یابد. اگرچه برخی قوانین طراحی اخیراً برای آنتن با شکاف  uشکل و تغذیه با پروب ارائه شده­اند،اما تغذیه تزویج مجاورتی سبب می­شود که پارامترهای زیادی در پروسه طراحی وارد شوند که مواجه شدن با همه­ی آن­ها گیج کننده به نظر می­رسد. در این مقاله پس از بررسی تأثیر پارامترهای مختلف بر فرکانس­های رزونا...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی‌الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می‌دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می‌یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

در این پایان نامه نحو? تنظیم شوندگیِ فیلترینگِ بلور های فوتونی یک بعدی بررسی و توسط روش المان محدود شبیه سازی شده است. ابتدا ساختارهای بلور فوتونی با حفره های هوا در نظر گرفته شده است و تأثیر تغییرات ساختاری بر روی مشخصات فیلترینگ بحث شده است. اثر تغییر در انداز? حفره ها، فاصل? میان حفره ها و طول کاواکِ حاصل از نقص بر نحو? فیلترینگ این ساختارها بررسی و برای دو ساختار با حفره های با سطح مقطع دایروی...

در سال 2002 ، کمیسیون فدرالی مخابرات ایالات متحده امریکا به صورت رسمی آیین نامه ای را برای تکنولوژی فراپهن باند ارائه داد. در این آیین نامه، طیف فرکانسی 1/3 گیگاهرتز تا 6/10 گیگاهرتز به این تکنولوژی اختصاص داده شده است. پس از انتشار این آیین نامه، تکنولوژی فراپهن باند که مبتنی بر ارسال پالس های بسیار باریک در حدود چند نانوثانیه و یا کمتر می باشد، برای استفاده در زمینه های متنوعی از مخابرات بی س...

در این مقاله یک آنتن شکافدار و پهن باند فشرده با وزن سبک که دارای الگوی تشعشع همه جهته و بهره پایدار در پهنای باند 3.1 تا 10.6 مورد برسی قرار می گیرد. این آنتن متشکل از یک شکاف بیضوی است که با یک خط انتقال 50 اهم اریب به شکل چنگال تغذیه می گردد. با اضافه کردن دو نوار u شکل معکوس در بخش بالایی شکاف بیضوی دو بازه فرکانسی اضافه می شود که برای پوشش استانداردهای gsm(1770–1840 mhz) و bluetooth(2385–2...

در سال 2002 ، کمیسیون فدرالی مخابرات ایالات متحده امریکا به صورت رسمی آیین نامه ای را برای تکنولوژی فراپهن باند ارائه داد. در این آیین نامه، طیف فرکانسی 1/3 گیگاهرتز تا 6/10 گیگاهرتز به این تکنولوژی اختصاص داده شده است. پس از انتشار این آیین نامه، تکنولوژی فراپهن باند که مبتنی بر ارسال پالس های بسیار باریک در حدود چند نانوثانیه و یا کمتر می باشد، برای استفاده در زمینه های متنوعی از مخابرات بی س...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

با توجه به آثار نامطلوبی که تزویج متقابل در عملکرد تشعشعی آنتن های آرایه ای مایکرواستریپی دارد، کاهش تزویج بین آنتن های چاپی بسیار مورد توجه است. در سال های اخیر تلاش شده است با استفاده از ساختار های دارای شکاف باند الکترومغناطیسی، که توانایی جلوگیری از انتشار امواج سطحی را دارند، تا حدودی میزان تاثیر متقابل آنتن ها را کاهش دهند. هدف از این پایان نامه معرفی یک ساختار دارای شکاف باند الکترومغنا...