مواد cuinte2 و cuinse2 از نوع مثبت (p ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال rh و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در p-cuinte2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk  170 و تغییر  rh، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k 200-7...

- اندازه گیری اثر هال نشان داد که ضریب هال مستقل از دما نبوده و با تغییر چگالی حامل ها که به علت تغییرات دما می باشد تغییر می کند. تغییرات در از 4/0 تا 6/0 سانتیمتر مکعب بر کولن بود و در دماهای پایین به یک مقدار ثابت میل کرد. این مقدار ثابت حدود 2/1 سانتیمتر مکعب بر کولن است. این تمایل به مقدار ثابت بیان گر این مطلب است که چگالی حامل ها به یک مقدار تقریبا ثابت میل می کند. با افزایش دما از 100 ت...

از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حاملهای بارو خواص ساختاری لایه های نازک سلنیدقلع که با روش نهشت حمام شیمیایی(cbd) با 2/0± 12=ph در دمای اتاق روی زیرلایه...

هدف از این پروژه تعیین مکانیزم پراکندگی در تک کریستال insb نوع n و p می باشد. برای این منظور از دمای 77 درجه کلوین تا 360 درجه کلوین، آزمایش اثر هال را با میدانی به شدت 7900 گوس ، انجام داده و به طور همزمان تغییرات ثابت هال و هدایت الکتریکی و تحرک را نسبت به دما مشخص نموده ایم . همچنین تعیین دمای دبای و مکانیزم پراکندگی از روی منحنی تغییرات تحرک نسبت به دما، تعیین انرژی نوار قدغن و دمای همپوشی ...

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...

مواد هیبریدی می توانند ویژگی های خاص ترکیبات آلی مانند انعطاف پذیری بالا، مقاوم بودن نسبت به ضربه و فرآیند پذیری آسان را همراه با خواص خوب ترکیبات معدنی از جمله مقاومت مکانیکی بالا، سختی زیاد، پایداری شیمیایی و جوی و حرارتی بالا و همچنین مقاومت سایشی مناسب را داشته باشند. برای بررسی کیفیت مواد هیبریدی و درنتیجه استفاده آنها در سلول های خورشیدی، مطالعه تحرک حامل های بار می تواند بسیار موثر باشد....

هدف اصلی از انجام این پژوهش تولید گیت دی الکتریک جایگزین برای اکسید سیلیکون در قطعات ترانزیستورهای اثر میدانی است. یک رویکرد جدید استفاده از مواد هیبریدی آلی- غیرآلی به عنوان گیت دی الکتریک است. در این بین، این واقعیت که مواد از اتم های گسسته ساخته شده اند ممکن است توانایی ما را در ادامه ی کوچک تر کردن ابعاد به محدوده نانومتر محدود سازد چرا که در ابعاد اتمی اثرات کوانتومی خود را آشکار می سازن...

اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسی...

در این مطالعه لایه های نازک اکسید قلع (sno2) آلاییده شده با آنتیموان (sb) به روش لایه نشانی لیزر پالسی در دماهای مختلف زیر لایه تهیه شدند. الگوی پراش اشعه ایکس شکل گیری ساختار تتراگونال (روتیل) در نمونه هایی با دمای لایه نشانی بالاتر از oc300 را نشان می دهد. تصاویر fesem بیانگر صاف و هموار بودن سطح نمونه ها است. مقاومت الکتریکی لایه ها به روش ون در پو اندازه گیری شد، نمونه های تهیه شده در دمای ...

نیمرسانای ‏‎inas‎‏ از نیمرساناهای ترکیبی گروه ‏‎iii-v‎‏ است، که دارای گاف انرژی کوچکی نسبت به نیمرساناهای دیگر(بجز ‏‎insb‎‏) می باشد. از این ترکیب می توان در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، لیزرهای نیمرسانا و همچنین بعنوان ژنراتور هال برای اندازه گیری شدت مغناطیسی استفاده نمود. پیوند بین اتمهای این ترکیب از نوع یونی و کووالانسی است و از ‏‎sb‎‏ بعنوان ناخالصی دهنده در آن استفاده شده تا ترکیب مورد ن...