نتایج جستجو برای: ترانزیستور ارگانیک
تعداد نتایج: 1599 فیلتر نتایج به سال:
اکثر موارد کاربردی که در الکترونیک ارگانیک با آن روبرو هستیم، به یک حافظه غیر فرار نیاز دارد که بتوان آن را به صورت الکتریکی برنامه ریزی نمود، پاک کرد و خواند. حافظه های پلیمری، به عنوان محدوه ای ضروری در الکترونیک ارگانیک، در سال های اخیر از موضوعات فعال تحقیقاتی شده است، چراکه این ساختار احتمالا تکنولوژی جایگزین و مکمل تکنولوژی حافظه های معمول می باشد که با مشکلات فراوانی در حوزه کوچک سازی از...
موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...
مقالة حاضر بر آن است که اصطلاح نوآورانة «درونمتنیت» را معرفی و ویژگیهای شاخص در رمان ابر اطلس اثر دیوید میچل بررسی کند. واژة روایتشناختیِ درونمتنیت از اصول حاکم وحدت ارگانیک چارچوبهای نظری مرتبط با بینامتنیت تأثیر گرفته است. پرسشهای اصلی این پژوهش عبارتاند از: چیست مؤلفههای منحصر بهفرد چه هستند؟ عناصر ساختاری معنایی سبب میشوند جنبههای بافت رواییِ مصداق داشته باشند؟ نقشی ایفا میکنند؟ م...
در این مقاله ساختاری نوین برای طراحی و ساخت هیدروفنهای حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شدهاست. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و بهتبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر میکند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...
در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه میشود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+ امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...
در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانسهای پایین طراحی و شبیهسازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس میشود. در نتیجه موج آکوس...
در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویتکننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد میشود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، بهعنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش میدهد. در این ساختار بهجای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل میشود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...
در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...
ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی میگردند. بهمنظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه میگردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه میگردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...
در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید