مدل تحلیلی ارائه شده در این تحقیق تعمیمی است بر نظریه کلاسیک فرانتز- نادویک برای انتشار تپ در تقویت کننده های اپتیکی دو عبوری با همپوشانی دلخواه باریکه ها. در مدل حاضر تأثیر باریکه های لیزر بر یکدیگر در گذر از تقویت کننده طی دو عبور، و اثر آنها بر ضریب بهره و شاریدگی انرژی خروجی برحسب فاصله دو باریکه از یکدیگر مورد محاسبه قرار گرفته است و برای حالت های خاص روابط تقریبی لازم برای سیگنال ورودی کو...

در این پژوهش کامپوزیت زمینه آلومینیومی با نانو ذرات تقویت کننده Al2O3 و B4C به وسیله روش اتصال نوردی تجمعی ساخته شد و اثر نانو ذرات تقویت کننده روی خواص مکانیکی و ریز ساختاری آن مورد بررسی قرار گرفت. برای ارزیابی ساختاری و ریزساختاری کامپوزیت تولید شده از پراش پرتو X و میکروسکوپ الکترونی عبوری استفاده شد. خواص مکانیکی نمونه ها به وسیله آزمون های سختی و کشش مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد ک...

یک تقویت کننده کم نویز با قابلیت کار در استانداردهای مختلف در طیف های فرکانسی 5/1 تا 5/2 گیگا هرتز و 3 تا 4/5 گیگا هرتز به صورت تغییر شکل پذیر با استفاده از سوییچ های ترانزیستوری طراحی و شبیه سازی گردید.اساس طرح تقویت کننده براساس مدار حذف نویز می باشد. اساس طراحی مدارات حذف نویز، بر پایه حذف نویز قسمت تطبیق امپدانس مدار و مجزا کردن عدد نویز مدار از تطبیق امپدانس می باشد.

هزاران سال است که تلاش های زیادی به منظور بهبود و یا افزایش کیفیت زندگی افراد بیمار انجام شده است. امروزه، گستره این تلاش ها به جایی رسیده است که دیگر بدون دخالت علم الکترونیک رسیدن به اهداف پیش رو غیر ممکن شده است. حوزه این فعالیت ها شامل کنترل اعضای مصنوعی توسط افراد معلول، تشخیص و درمان بیماری های عصبی (مانند حمله صرع و پارکینسون) و بیماری های قلبی، بازگرداندن بینایی به افراد نابینا و شنوایی...

مدارهای مجتمع فرکانس بالا برای همه وسایل الکترونیکی قابل حمل که در ارتباطات بی سیم استفاده می شوند، لازم هستند. مدارات فرکانس بالای اولیه با استفاده از تکنولوژی های sige یا gaas ، به دلیل خواص فرکانس بالای فوق العاده آنها،پیاده سازی می شدند.اخیرا، سایز ترانزیستور mos در تکنولوژی cmos به طور مداوم در حال کم شدن بوده است تا خواص فرکانس بالای آن را بهبود دهد؛ که باعث شده پروسه های cmos برای استفاد...