یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با ساختار تمام نرمال نشان می دهد که وابستگی زاویه ای احتمال عبور در حضور همبستگیهای ابررسانایی به شدت مختل می شود. این ...

در سال 1385 بخشی از شیروانی مشرف به نوار نقاله و سنگ شکن معدن مس سونگون ریزش کرده و ساختمان­های بالای آن دچار جابه جایی و شکست شده است. با توجه به اهمیت کارکرد بی­عیب نوار نقاله و سنگ شکن به منظور تداوم در تولید، ویژگی های زمین شناسی ساختمانی و مهندسی منطقه بررسی شده و وضعیت موجود شیروانی به لحاظ پایداری ارزیابی شد. نتایج ارزیابی­ها نشان داد که شیروانی اطمینان کافی در مقابل لغزش را ندارد و ناپا...

در سال 1385 بخشی از شیروانی مشرف به نوار نقاله و سنگ‌شکن معدن مس سونگون ریزش کرده و ساختمان­های بالای آن دچار جابه‌جایی و شکست شده است. با توجه به اهمیت کارکرد بی­عیب نوار نقاله و سنگ‌شکن به‌منظور تداوم در تولید، ویژگی‌های زمین‌شناسی ساختمانی و مهندسی منطقه بررسی شده و وضعیت موجود شیروانی به لحاظ پایداری ارزیابی شد. نتایج ارزیابی­ها نشان داد که شیروانی اطمینان کافی در مقابل لغزش را ندارد و ناپا...

حامل هایی که به تراز پایه مستقیما تونل می زنند شیب منحنی نور- جریان را بهبود می بخشند. نتایج نشان می دهد که نوسان فرکانسی و پهنای مدولاسیون در لیزردهی از تراز برانگبخته و لیزردهی به کمک تونل زنی تزریقی در مقایسه با لیزردهی معمولی خیلی بیشتر است. در هر دو حالت لیزردهی از تراز برانگبخته و لیزردهی به کمک تونل زنی تابع پاسخ مدولاسیون تقریبا مستقل از دماست اما در حالت معمولی این تابع شدیدا به دما وا...

در این پژوهش از نانو نوار آرمچیر به عنوان پایه در سیستم درین + کانال + سورس استفاده کرده ایم، وبا اعمال ولتاژ در پروفایل های متفاوت و با استفاده از روش گرین غیرتعادلی، چگالی حالات وجریان عبوری از کانال را به دست آورده ایم. و در نهایت با استفاده از تونل زنی تشدیدی یک سیستم به عنوان ترانزیستور طراحی کرده ایم

در این مقاله مشخصه های پهنای نوار مدولاسیون لیزر نقطه کوانتومی ingaas/gaas به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفاده از روش رانگ کوتا مرتبه چهارم انجام گرفته است. اثر طول عمر واهلش حامل ها، دما، چگالی جریان بر مشخصه های لیزر های نیمه رسانای نقطه کوانتومی تزریق تونلی (til)1 و بدون تزریق تونلی (cl)2 بررسی شده اند. نتایج نشان می دهند که تزریق تونلی در لیزر های نقطه کوانتومی م...