اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

درسالهای اخیر، تحقیقات زیادی در زمینه استفاده از فرایند مکانوشیمیایی برای سنتز مواد پیشرفته صورت گرفته است. در این تحقیق، نانوکامپوزیت al2o3-tin به روش مکانوشیمیایی و با استفاده از ماده ارزان قیمت tio2 (به جای تیتانیوم خالص که خیلی گران است) تولید شد. از پودرهای اکسید تیتانیوم و آلومینیوم به عنوان مواد اولیه استفاده شد. آسیابکاری در آتمسفر نیتروژن با فشار 5 آتمسفر انجام شد و محصولات به دست آمده...

در این تحقیق رفتار خوردگی پوشش چند لایه تیتانیوم/ نیترید تیتانیوم اعمال شده بر روی سطح آلومینیوم 7075 به‌روش EIS مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. پوشش تیتانیوم/ نیترید تیتانیوم با استفاده از فرایند کند و پاش مغناطیسی خلاء بالا بر روی سطح نمونه­ها اعمال شده، سپس فاز، ساختار و مورفولوژی پوشش به ترتیب با استفاده از روشهایGIXRD، FESEMو AFM مورد بررسی قرار گرفته، همچنین رفتار خوردگی پوشش در بازه‌های...

چکیده: کاربرد لایه های نازک نه تنها در اتصال قطعات منفرد به یکدیگر بلکه همچنین در تهیه خود قطعات اعم از فعال و نافعال، امکانات جدید میکروریزه شدن را فراهم آورده است. این امر از آنجا ناشی می شود که یکی از ابعاد (از دیدگاه ماکروسکوپی) تقریباً صفر است، و ضخامت عنصر تنها با ضخامت زیرلایه که فرآیند انباشت روی آن انجام می گیرد، تعیین می شود. لایه های نازک تیتانیوم آلومینیوم نیترید با شیوه های متفاو...

در این پژوهش ویسکرهای نیترید آلومینیوم (aln) در کوره لوله ای تحت جریان 500 گاز نیتروژن در دمای c˚1000 با یک ساعت ماندگاری در این دما تهیه شدند. مواد اولیه شامل آلومینیوم (al) با اندازه ذرات 3 میکرومتر و 45 میکرومتر و کلرید آمونیوم (nh4cl) بود. برای بررسی ویسکرهای نیترید آلومینیوم، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) و پراش اشعه x (xrd) به کار گرفته شدند. بررسی یافته ه...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

برای یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول خردل (mu) که یکی از عوامل تاول­زا می ­باشد، در این پژوهش رفتار جذب مولکول خردل بر روی سطح خارجی نانولوله­ های آلومینیوم ـ نیترید زیگزاگ (4،0)، (5،0) و (6،0) با استفاده از روش نظریه­ ی تابعی دانسیته(dft) مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه­ سازی ساختاری در سطح نظری**311-6/lyp3b اجرا شد. فاصله ­های تعادلی، انرژی جذب، گشتاور دوقطبی، انرژی بالاترین اوربیتال مولکول...

چکیده نیترید آلومینیوم ضمن اینکه ازمقاومت به شوک حرارتی عالی برخوردار است، از نظر خواصی چون ثابت دی الکتریک (6/8) و استحکام دی الکتریک (kV/mm25-20) مشابه دیگر مواد سرامیکی است که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار گرفته اند. نیترید آلومینیوم نانوساختار  در بین نیمه هادی های سرامیکی بالاترین گاف انرژی(eV 2/6) را دارد. نیترید آلومینیم به دلیل برخورداری از ویژگی های ذکر شده ، قابلیت فراوانی برای ...

فلزات با انتالپی احتراق بالا همچون آلومینیوم از جمله مواد افزودنی به مواد منفجره، پیرو تکنیک ها و پیشرا نه ها می باشند.آلومینیوم لازم است بصورت کامل مشتعل گردد و درجه حرارت احتراق آن پایین باشد. برای این منظور عوامل فعال همچون تیتانیوم به آلومینیوم افزوده می شوند. در این پژوهش از فرایند فعال سازی مکانیکی برای تولید آلیاژهای آلومینیوم- تیتانیوم در نسبت گلوله به بار20 استفاده شده است. برای آلیاژ ...