پدیده های انتقال فاز در حلالهایی مشاهده می گردد که دارای نقاط بحرانی جهت تک فاز شدن می باشند. در مرحله اول توسط افزایش دما و یا افزایش فشار و یا افزایش فشار و دما بصورت همزمان و یا در یک ترکیب درصد بخصوص، حلالها با هم تک فاز می شوند در مرحله بعد با کاهش دما و یا کاهش فشار ویا تغییر ترکیب درصد حلالها، محلول تک فاز به دو فاز جدا از یکدیگر تبدیل می شود. از این پدیده می توان جهت استخراج یک گونه خاص...

مقادیر ضریب توزیع برای کاتیون های zriv و hfiv در محلول های حاوی اسید سولفوریک با غلظت های مختلف و همچنین مخلوط حلال ها توسط رزین کاتیونی از نوع پلی استایرن سولفونه شده تعیین شد و بر اساس این داده ها جداسازی کاتیون های مذکور از یکدیگر با استفاده از روش کروماتوگرافی تبادل یون مورد بررسی و انجام قرار گرفت. اثر پارامترهای مختلف مثل دما ، نوع و مقدار حلال ،در بستررزین کاتیونی از نوع پلی استایرن سولف...

مقادیر ضریب توزیع برای کاتیون های ZrIV و HfIV در محلول های حاوی اسید سولفوریک با غلظت های مختلف و همچنین مخلوط حلال ها توسط رزین کاتیونی از نوع پلی استایرن سولفونه شده تعیین شد و بر اساس این داده ها جداسازی کاتیون های مذکور از یکدیگر با استفاده از روش کروماتوگرافی تبادل یون مورد بررسی و انجام قرار گرفت. اثر پارامترهای مختلف مثل دما ، نوع و مقدار حلال ،در بستررزین کاتیونی از نوع پلی استایرن س...

تک لایه های خودآرا نانوساختارهایی هستند به ضخامت یک مولکول که روی سطح جامد، بطور خودبخود تشکیل می شوند. سطح اصلاح شده به این روش می تواند مستقیماً به عنوان حسگر به کار رود، و یا به عنوان بستری برای اصلاح بیشتر جهت ساخت حسگرهای پیشرفته مورد استفاده قرار گیرد. یکی از روش های تثبیت لایه های بیشتر بر روی تک لایه های خودآرا استفاده از چسب یون فلزات می باشد. این روش دارای محاسن زیادی در مقابل سایر روش...

در این پروژه، روشی جدید برای جداسازی زیرکونیوم و هافنیوم معرفی شده است. در این روش یک میدان الکتریکی برای سهولت در امر انتقال یون ها و سرعت بخشیدن به حرکت آنها استفاده شده است. استخراج و جداسازی هافنیوم از زیرکونیوم به وسیله استخراج کننده های tbp و d2ehpa صورت می پذیرد. در این کار تحقیقاتی برای جداسازی دو فلز از دو سلول حاوی محلول خوراک و بازیابی استفاده شد. سلول ها به وسیله فاز آلی به یکدیگر م...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...