این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل بکار رفته رشد، رشد بالستیک bd می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای مشخص نسبت به نرمال سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی الف) سایه اندازی و ب) محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث گردیده ساختارهای حاصل از این روش بصورت ستون های مجزا با اشکال مختلف که با فضاهای خالی از هم جدا شده اند، در...

در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...

در این مقاله، فرآیند لایه نشانی فیلم های نازک طلا، به کمک روش تبخیر حرارتی شبیه سازی شد. برای این منظور از نرم افزار COMSOL Multiphysics استفاده گردید. مدل سه بعدی در محیط نرم افزار ایجاد شده و هندسه، تحلیل مش ها، شرایط مرزی و روابط مورد نیاز معرفی و مورد مطالعه قرار گرفتند. ضخامت، چگالی، شار گرما، فشار و سایر پارامتر های مرتبط با لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفتند. با استفاده از رگرسیون صفحه ای...

این تحقیق بر پایه مدل رشد لایه نازک پیشنهاد شده توسط قلی پور ‏‎‏‎[13]‎‏ بنا شده است. لایه رشد داده شده به این روش تحت محاسبه تنش و همچنین تحت فرآیند تابکاری قرار می گیرد. روش قلی پور که عبارت است از شبیه سازی رشد لایه نازک انباشته شده به روش تبخیر در خلا برای انباشت لایه به روش کند و پاش مورد استفاده در این تحقیق تعدیل شده است. برای محاسبه تنش در لایه انباشت شده به این ترتیب از روش موئلر ‏‎[14]...

(شامل تعریف مسأله، سئوالات اصلی تحقیق، اهداف) نیمرساناها نقش بسیار مهمی در قطعات الکترونی ایفا می کنند. قطعاتی که بر اساس نیمرساناها کار می کنند زمینه ساخت ابزار مهم تکنولوژیکی از قبیل ترانزیستورها، دیود ها، سلول های فتوولتایی و آشکارساز ها را فراهم می آورند. در این بین نیمرساناهای اکسیدی به خاطر خواص الکتریکی بسیار متنوعی که نشان داده اند، مورد توجه قرار گرفته اند. با توجه به ارزان وساده تر ...

رشد برآراسته لایه های نازک یکی از مهمترین تکنیک های تولید ابزارهای الکترونیکی و اپتیکی است. در لایه های برآراسته ی هم خانواده وجود نقص در ساختار، موجب ایجاد کرنش در لایه ها می شود و تغییر شکل نانو ساختارها شدیدا به ساختار ریز آنها مانند نقایص، مرزدانه ها و سطح وابسته است. شبیه سازی کامپیوتری یک راه مناسب برای درک رفتار مواد در مقیاس اتمی است. اکسید روی یکی از مهمترین مواد در صنعت نیمرساناست که...

در این مقاله، فرآیند لایه نشانی فیلم های نازک طلا، به کمک روش تبخیر حرارتی شبیه سازی شد. برای این منظور از نرم افزار comsol multiphysics استفاده گردید. مدل سه بعدی در محیط نرم افزار ایجاد شده و هندسه، تحلیل مش ها، شرایط مرزی و روابط مورد نیاز معرفی و مورد مطالعه قرار گرفتند. ضخامت، چگالی، شار گرما، فشار و سایر پارامتر های مرتبط با لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفتند. با استفاده از رگرسیون صفحه ای...

شبیه¬سازی نانوساختارها به عنوان یک الگوی ساده و کم هزینه برای درک فیزیک حاکم بر نانوساختارها کمک شایانی داشته است. در حقیقت با استفاده از شبیه سازی می¬توان علاوه بر ریخت¬شناسی، ویژگی ها و خواص فیزیکی و شیمیایی مواد نانویی را پیش بینی کرد. در این تحقیق، نانوساختارهای ستونی و مخروط مارپیچی نقره با استفاده از نرم افزار nascam به صورت سه بعدی و با شیوه مونت کارلو شبیه سازی شده اند. الگوریتم استفاده...