مواد cuinte2 و cuinse2 از نوع مثبت (p ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال rh و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در p-cuinte2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk  170 و تغییر  rh، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k 200-7...

از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حاملهای بارو خواص ساختاری لایه های نازک سلنیدقلع که با روش نهشت حمام شیمیایی(cbd) با 2/0± 12=ph در دمای اتاق روی زیرلایه...

اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسی...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

برای بررسی اثر هال در نمونه های بس بلوری ابررسانای دمای بالای ybco آلاییده به نانولوله های کربنی (cnt)، ولتاژهای طولی و عرضی در میدان های مغناطیسی مختلف(0-9t)، در حالت گردابی اندازه گیری شد. ما یک تغییر علامت ضریب هال را نزدیک 3t برای نمونه خالص ybco و یک تغییر علامت دوگانه را نزدیک 3t و 5t برای نمونه ybco آلاییده به 0.7wt%cnt یافتیم. می توان نتیجه گرفت که آلایش cnt سبب میخکوبی قوی گردابه ها در...

نمونه های تک فاز چند بلوریgd1-xprxba2cu3o7-δ  با استوکیومتری 0.15, 0.10, 0.05=x با روش استاندارد واکنش حالت جامد, ساخته و با انجام آزمایشهای xrd و sem مشخصه یابی شدند. اندازه گیریهای مقاومت ویژه, اثر هال و مقاومت مغناطیسی بر روی این نمونه ها انجام شد. نتایج اندازه گیری مقاومت ویژه نشان می دهد که هر سه ترکیب ساخته شده دارای گذار ابررسانایی می باشند. دما و پهنای گذار این نمونه ها با افزایش مقدار ...

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...

در این پایان نامه اثر کوانتومی هال بر روی یک صفحه ی ناجابه جایی دوبعدی و همچنین یک فضای فاز ناجابه جایی مورد بررسی قرار می گیرد. پس از حل معادله ی شرودینگر بر روی صفحه ی ناجابه جایی دوبعدی و نیز فضای فلز ناجابه جایی ویژه مقادیر انرژی و ویژه توابع مربوط به اثر کوانتومی هال بصورت تحلیلی بدست می آیند.با محاسبه ی مقدار چشم داشتی مولفه های عملگر جریان ،ضریب رسانندگی هال بر روی صفحه ی ناجابه جایی و ف...

اگر gیک گراف ساده متناهی باشد و برای راس vیک مجموعه(لیست) متناهی از رنگ ها تخصیص داده شده باشد، مساله اصلی پیدا کردن شرایطی است که تحت آن شرایط بتوان گراف gرا با این تخصیص لیستی طوری رنگ آمیزی کرد که رئوس مجاور رنگ متمایز دریافت کنند.شرط لازم برای چنین رنگ آمیزی شرط هال نامیده می شود.

سنسور میدان مغناطیسی مبدلی است که میدان مغناطیسی را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. سنسورهای نیمه هادی گالوارنومگنتیک ، با توجه به نیروی لورنتس که به حاملهای بار وارد می شود، به میدان مغناطیسی حساس می باشند. در این پایان نامه ابتدا به فیزیک اثر هال که یکی از مشهودترین آثار گالوانومگنیک می باشد، در نیمه هادیها پرداخته شده است . ابتدا یک تحلیل تقریبی ارائه شده و سپس روابط دقیقتر برای ضرایب اس...