چکیده: نظر بر اینکه اکسید روی یک نیم رسانا با گاف باندی پهن می باشد به عنوان یک ماده ی مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. اکسید روی علاوه بر کاربرد به عنوان یک رسانای شفاف و حسگر گازی، در ساخت واریستورها و سلولهای خورشیدی مورد استفاده قرار می گیرد. روش سل- ژل یک روش ساده، کم هزینه و جذاب برای تهیه لایه های نازک اکسید روی بوده و امکان تهیه لایه هائی با س...

اکسید روی به دلیل داشتن کاربردهای متنوع? خواص پیزوالکتریکی و فوتوالکتریکی در سالهای اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. روش سل- ژل نیز به علت دارا بودن مزایای فراوان از جمله لایه نشانی در ابعاد نسبتا وسیع? دمای پایین فرایند? خلوص و همگنی فیلم ها? همچنین هزینه پایین از روشهای مطلوب لایه نشانی محسوب می شود. دراین تحقیق فیلم های نازک اکسید روی به روش سل – ژل چرخشی تهیه شده? سپس خواص اپتیکی و ساخ...

فیلم های نازک اکسید تنگستن با استفاده از محلول آبی پروکسوتنگستیک اسید از طریق تکنیک الکتروانباشت روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده با اکسید قلع لایه نشانی می شوند. فیلم ها بر حسب تابعی از دمای بازپخت (°c60، °c100،°c250 و°c400)بررسی می شوند. فیلم ها به وسیله میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی، چرخه ولتامتری واسپکترومتر uv-visible اندازگیری می شوند. فیلم ها عبور بالایی در ناحیه مرئی از خود نشان دادند. ...

در این پایان نامه فیلم های نازک اکسید روی با منگنز آلاییده شد و اثر این آلایش، روی خواص فیزیکی و شیمیایی فیلم ها به ازای درصد های مختلف منگنز و در دو روش کاملا متفاوت اسپری پایرولیزز و غوطه وری سل- ژل مورد بررسی قرار گرفت. در بررسی خواص اپتیکی فیلم های نازک zno:mn مشاهده شد که بیشترین شفافیت اپتیکی به ازای آلایش wt% 3 می باشد. با مشارکت بیشتر منگنز در جایگاه های شبکه اکسید روی مجددا در طیف ها...

فیلم نازک احیاء شده اکسید تیتانیم

در این تحقیق، خواص اپتیکی و ساختاری فیلم های نازک اکسید روی مورد مطالعه قرار گرفته است. برای پوشش این فیلمها، از روش انباشت بخار شیمیایی (cvd) و با کمک تکنیک فعال سازی حرارتی استفاده شده است. زینک استات بعنوان پیش ماده بکار رفته است. گاز اکسیژن جهت انجام واکنش و تشکیل اکسید روی و گاز نیتروژن نیز به عنوان گاز حامل استفاده شده اند. آنالیز های مختلفی از جمله طیف رامان (raman)، طیف ftir ، طیف سنجی ...

در طی سالیان اخیر توجه زیادی به وسایل و قطعات الکترونیکی و میکروالکترونیکی بنا شده بر مبنای اکسید روی معطوف گردیده است. اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با فاصله نواری پهن و با ساختار کریستالی هگزاگونال ورتزایت بوده و به خاطر داشتن تحرک زیاد الکترونهای رسانش و پایداری حرارتی و شیمیایی می تواند به عنوان گزینه ای مناسب جهت حسگرهای گازی مورد استفاده قرار گیرد. همچنین دارای رسانندگی و عبور اپتیکی زیا...

در کار حاضر، ساختار نامتجانس دو مؤلفه‌ای از آرایه نانومیله‌های اکسید روی (ZnO NRs) و ساختارهای اکسید مس (CuO) رشد داده می‌شود. نانومیله-های یک بعدی ZnO به کمک لایه جوانه‌زنی به‌وسیله‌ی روش شیمیایی‌تر در دمای پایین رشد داده می‌شوند. سپس فیلم نازک اکسید مس با اکسایش حرارتی فیلم نازک Cu نهشت‌شده با کندوپاش مگنترونی بر ZnO NRs به منظور افزایش و گسترش جذب اپتیکی در ناحیه مرئی تشکیل می‌شود. مشخصه‌های...

در این کار اثر دمای زیرلایه، فلوی گاز اکسیژن و زاویه زیرلایه بر خواص اپتوالکتریکی، ساختاری و ریخت شناسی سطحی اکسید قلع خالص به منظور دست یابی به یک اکسید رسانای شفاف نانوساختار برای کاربردهای سلول خورشیدی بررسی شد. بهترین نتایج در دمای زیرلایه ?c 500 با فلوی اکسیژن sccm 200-100 و در فاصله cm 5 از پیش ماده بدست آمد. در گام بعدی تلاش کردیم تا اکسید قلع آلائیده با نیتروژن با رسانندگی نوع p بدست آ...

در این پروژه فیلم لایه نازک نانو ساختار اکسید روی و هیدروکسید روی بر روی اسلاید شیشه ای تحت تابش دهی مایکروویو به عنوان یک روش ساده و سریع تهیه شده است. همچنین به منظور بررسی اثر نقره بر روی خصوصیات فیزیکی و بیولوژیکی فیلم ها، فیلم اکسید روی/نقره و هیدروکسید روی/نقره بر روی اسلاید شیشه ای نیز با روش مایکروویو تهیه شده است. در این روش نیروی هیدرولیز به کمک تابش دهی مایکروویو تامین میگردد. اثر ph...