لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...

لایه های نازک zns بر روی زیرلایه های شیشه ای در دماهای مختلف زیرلایه به دو روش تبخیر در خلأ (pvd) و اسپری پایرولیزیز لایه نشانی شدند و در دمای °c 500 درهوا بازپخت گردیدند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایه ها توسط طیف پراش اشعه ایکس و طیف سنجی uv/vis بررسی شد و همچنین به کمک داده های طیف عبوری، گاف انرژی محاسبه گردید. نتایج آزمایش ها حاکی از آن است که همه لایه ها دارای ساختار مکعبی هستند. تبل...

لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر د...

فیلم­های نازک نانوذرات ZnS خالص وZnS  آلائیده به Cu (ZnS:Cu) با استفاده از روش جذب و واکنش متوالی لایه­ی یونی (SILAR) تهیه شد. فیلم­های نازک به دست آمده با استفاده از پراش­سنج اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و طیف جذبی مورد بررسی قرار گرفتند. تخریب فوتوکاتالیستی مولکول­های رنگی متیلن بلو (MB) با کنترل میزان غلظت محلول MB با استفاده از اسپکتروفتومتر جذب UV-vis ارزیابی شد. تغییرات...

در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای ni و cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (xrd) تعدادی از لایه های نازک ni/cu بیانگر ساختار چند...

در سال های أخیر مطالعه در مورد نانو کامپوزیت های p3ht: zns به دلیل قابلیت استفاده آنها به عنوان لایه ای فعال در سلول های خورشیدی ناهمگون حجمی با ولتاژ باز بالا گسترش یافته است. در این گونه سلول های خورشیدی انتقال بار کارایی آنها را مشخص می کند. بنابراین، بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی نانو کامپوزیت های p3ht:zns به منظور بهبود کارایی این گونه سلول های خورشیدی اهمیت به سزایی دارد. این مطالعه هم مکا...

در این رساله خواص فیزیکی لایه های نازک نانوساختاری cus، سیستم های دوتایی cus-zns و نیمرساناهای آلیاژ سه تایی cu2sns3 (cts) تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز (افشانه تجزیه حرارتی) بر روی زیرلایه های شیشه و ;ftoهمچنین دیودهای لایه نازک cts/fto مورد بررسی قرار گرفته اند. در این مطالعه از دستگاه های مختلف شامل: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، طیف نگار پاشندگی انرژی (eds)، پراش پرتو ایک...

فیلم نازک (نازک لایه)، لایه‌ای از مواد آلی با ضخامتی در حد نانومتر تا میکرومتر است. سنتز کنترل‌شده فیلم‌های نازک موضوع مهمی در کاربردهای آنهاست. فیلم های نازک آلی با ضخامت نانومتری، ساختارهایی مفید برای کاربرد در حسگرها، شناساگرها، نمایشگرها و اجزای مدارهای الکترونیکی به‌شمار می‌آیند. لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت از روش‌های کاربردی تهیه فیلم‌های نازک محسوب می‌شوند. در لایه نشانی چرخشی، نیر...

هدف از این پژوهش سنتز نانو ذرات نورتاب و ساخت کامپوزیت هایی از دو جزء نورتاب و نانولوله کربنی به صورت لایه های نازک با استفاده از فرایند نشست الکتروفورتیکی برروی الکترود های آلومینیومی است. بررسی ها در چهار بخش، سنتز ماده نورتاب zns با دوپنت های مختلف، تهیه کامپوزیت نانولوله کربنی – zns نورتاب به روش سنتز همرسوبی و تشکیل پوشش های کامپوزیتی به روش الکتروفورزیس و در نهایت سنتز و ساخت کامپوزیت ح...