آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی گروه جدیدی از مواد هوشمندند که به دلیل خواصی ویژه ـ مانند کرنش بالای قابل بازگشت، عمر خستگی بالا و پاسخ زمانی سریع ـ به گزینه‌یی مناسب برای سیستم‌های برداشت‌کننده‌ی انرژی، عملگرها و سنسورها بدل شده‌اند. برای استفاده از این مواد در سیستم‌های مذکور همواره به یک سازوکار برگشت نیاز است تا نمونه‌ی آلیاژ را به حالت اولیه برگرداند. روش رایج در برداشت‌کننده‌های انرژی استفاد...

ماده ابردگررسان مغناطیسی ترفنل-دی در ساخت بسیاری از حسگرها از قبیل نیروسنج کاربرد دارد. در این حسگرها نیروی خارجی به واسطه تغییر در شار مغناطیسی گذرنده از ترفنل-دی اندازه گیری می شود. به منظور بهبود عملکرد این حسگرها، ترفنل-دی تحت تاثیر میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی قرار می گیرد. در این مقاله، اثر این دو عامل بر حساسیت و محدوده اندازه گیری خطی حسگر مورد بررسی قرار می گیرد و مقادیر بهین...

ریزپاشی ذرات مایع کاربردهای مختلفی از قبیل استفاده در سوخت پاش خودروها، خنک کاری، پوشش دهی، استفاده پزشکی و غیره دارد. یکی از روشهای معمول ریزپاشی، استفاده از ارتعاشات است. برای این کار به طور معمول از پیزوالکتریک ها استفاده می شود. در این پایان نامه روند طراحی و ساخت یک عملگر دینامیک با استفاده از آلیاژ دگررسان مغناطیسی ترفنل - دی ارائه گردیده و از این عملگر در کاربرد ریز پاشی مایعات استفاده ...

در سالهای اخیر برداشت انرژی از منابع موجود در محیط به منظور راه اندازی ادوات الکترونیکی با توان پایین، مورد توجه بسیاری از محققین قرارگرفته است. انرژی باد ، انرژی خورشید ، انرژی جریان آب ، انرژی مکانیکی حاصل از ارتعاشات و . . . از جمله منابع مهم انرژی های موجود در محیط بشمار می آیند. در این مقاله بهینه سازی برداشت انرژی از ارتعاشات محیط توسط آلیاژ حافظه دار مغناطیسی ارائه شده است. بدین منظور یک...

در ترانسدیوسر دگررسان مغناطیسی، مدول یانگ هسته فرومغناطیس در مواجهه با تغییر سطح مغناطیسی آن ، تغییر می کند. این تغییر برای هسته ترفنل-دی بیشترین مقدار را دارد. تغییر مدول یانگ، سبب تغییر فرکانس رزونانس و شکل مد ترانسدیوسر می شود. این مقاله به مطالعه این اثر در ترانسدیوسر با هسته ترفنل-دی پرداخته است. بدین منظور ترانسدیوسر دگررسان مغناطیسی با ماده ترفنل-دی طراحی و ساخته شده است. نقاط گره طراحی ...

بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...

در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.

اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...