مطالعات نظری انجام شده با استفاده از محاسبات نواری بستگی قوی روی پیوند اتم های کربن نشان می دهد که نانو نوار های دسته صندلی، بسته به مقدار عرض شان، می توانند فلز یا نیم رسانا باشند. در حالی که نانو نوار های زیگزاگ با هر پهنایی نیم رسانا هستند. در این پایان نامه با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی و به کمک محاسبات عددی به بررسی نوار انرژی، چگالی حالت هاو رسانش الکتریکی نانو نوارهای گ...

در این رساله رسانش الکترونی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای پایه کربنی در چارچوب فرمولبندی ترابرد همدوس لاندائور و با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی تک باندی و چند باندی، توابع گرین سطحی و ماتریس های انتقال بررسی و محاسبه می شود. ویژگی های مغناطیسی مورد بررسی، ناشی از خواص مغناطیسی تهی جای ها، اتمهای مغناطیسی ناخالصی و میدانهای خارجی است. بعلاوه خواص مغناطیسی نانو دیسک ها و نانو نوار های گراف...

ویژگی های الکترونیکی نانو مواد با تغییر هندسه ونوع اتم های آنها تغییر می کند.در این پایان نامه به بررسی ویژگی های الکترونیکی نانو نوارهای زیگزاگ گرافینی، سیلیکون کربن، بورون نیتراید و بریلیوم اکساید در مدل تنگ بست و در رهیافت تابع گرین می پردازیم.چگالی حالتها و ظرفیت گرمایی الکترونی نانو نوارهای ذکر شده برای عرض های مختلف بدست می آیند و نتایج با یکدیگر مقایسه می شود. برای این کار ابتدا با است...

گرافن یک تک لایه اتمی نازک از گرافیت و شبکه¬ای شش وجهی از اتم¬های کربن است، که حالت¬های الکترونیکی کم انرژی آن با فرمیون¬های بدون جرم دیراک توصیف می¬شوند. اگر پهنای یک نوار گرافنی را کاهش دهیم، آن¬گاه نانو نوارهای گرافنی شکل می¬گیرد، که اثرات وابسته به اندازه نانو نوارها روی خواص ترابردی آن¬ها نیز وارد می¬شود. در این پایان¬نامه، اثرات مقیاس نانو را روی خواص فیزیکی نانو نوارهای گرافنی بررسی می¬ک...

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

یکی از عواملی که مانع کاربرد وسیع نانو¬نوارهای سیلیسیم کاربید در صنعت الکترونیک می¬شود. گاف انرژی نسبتا بزرگ در آن است. تلاش¬های بسیاری برای کاهش این گاف انجام گرفته که مهم¬ترین آن¬ها عامل¬دار کردن این نانو¬نوارها به وسیله گروه¬های عاملی مختلف است. عامل¬دار کردن مناسب و سنجیده نانو¬نوارها حلا¬لیت و فرآیند¬پذیری را می¬تواند بهبود بخشد و سبب ظهور خواصی می¬شود که ناشی از ترکیب خواص منحصر به فرد نا...

بهبود رشد و نمو گیاه سیب زمینی در شرایط کشت در شیشه دارای اهمیت زیادی است.اتیلن یکی از هورمون های گیاهی است که در شرایط کشت در شیشه تولید و باعث کاهش رشد سیب زمینی می شود.در این تحقیق اثر نانو نقره بر میزان کلروفیل، جیبرلیک اسید، پروتئین کل و الگوی الکتروفورزی sds-page پروتئین ها در غلظت 0، 5/0، 1، 5/1 و 2 میلی گرم در لیتر(ppm) در محیط کشت جامد ms روی گیاه سیب زمینی رقم وایت دزیره بررسی گردید.ب...

بهبود رشد و نمو گیاه سیب‌زمینی در شرایط کشت در شیشه‌ دارای اهمیت زیادی است.اتیلن یکی از هورمون‌های گیاهی است که در شرایط کشت در شیشه تولید و باعث کاهش رشد سیب‌زمینی می‌شود.در این تحقیق اثر نانو نقره بر میزان کلروفیل، جیبرلیک اسید، پروتئین کل و الگوی الکتروفورزی SDS-PAGE پروتئین‌ها در غلظت 0، 5/0، 1، 5/1 و 2 میلی‌گرم در لیتر(ppm) در محیط کشت جامد MS روی گیاه سیب‌زمینی رقم وایت دزیره بررسی گردید....

هدف اصلی این پایان نامه، بررسی چگالی حالت های نانونوارهای گرافینی آرمچیر و زیگزاگ با تغییر ساختار هندسه ی آنها،از لحاظ تعداد لایه و عرض میباشد. هامیلتونی نانونوارهای گرافینی را در تقریب تنگ بست در کوانتش دوم بدست آورده، و با استفاده از رهیافت تابع گرین معادله ی حرکت مربوط به الکترونهای ظرفیت سیستم مورد نظر را نوشته، سپس با داشتن تابع گرین و استفاده از نرم افزار متلب (matlab) چگالی حالت های نانو...

در این پروژه، آلیاژ fe78si13b9 (درصد اتمی) توسط روش ذوب القایی در خلاء تولید شده و سپس توسط روش مذاب ریسی، آلیاژ تبدیل به نوارهایی به ضخامت 30 میکرون و پهنای 780 میکرون شد. آزمون با پراش اشعه ایکس بر روی نوارهای حاصله مبین آمورف بودن نوارها بود. در چنین شرایطی خواص مغناطیسی نوارها توسط روش vsm و خواص الکتریکی آنها توسط آزمون چهار نقطه مورد بررسی قرار گرفت و برای مشخص نمودن اثر حضور نانو مواد در...