در این پروژه میکرو/ نانو ساختار های zno بر روی زیر لایه کوارتز به روش تبخیر حرارتی درکوره رشد داده شد. ترکیبی از پودر znoو پودر گرافیت (با نسبت یکسان، جهت پایین آوردن دمای بخار) را داخل یک بوته کوارتز کوچک و نزدیک انتهای آن گذاشته شد و زیر لایه کوارتز را در فواصل مختلف از مرکز کوره در تیوپ کوارتز کوچک قرار داده شد. سپس تیوپ کوچک را درون یک تیوپ بزرگ کوارتز قرار داده و گاز خنثای 2 ? به عنوان گاز...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی گیت های منطقی بولی صوتی بر بستر بلورهای فونونی با روش چند موجبری ارائه شده است. برای طراحی این گیت ها از بسترهای فونونی سیلیکنی جهت مجتمع سازی با سایر ادوات اپتوالکترونیکی که یکی از مزایای این طرح نیز می باشد استفاده شده است. در ابتدا به مطالعه و بررسی انواع بلور فونونی و حوزه های مختلف فرکانس کاری و پارامترهای موثر بر رفتار آنها می پردازیم. پس از آن انواع رو...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

در این پایان نامه اثر جانشینی لیتیم با هیدروژن بر خواص کشندگی پیوندی و اپتوالکترونیکی آلانین با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است. از جمله خواص مورد مطالعه می توان به ساختار نواری، چگالی ابر الکترونی، چگالی حالت ها، خواص دی الکتریک، تابع اتلاف، هدایت اپتی...

در این رساله نانوساختارهای اکسید روی آلاییده با عناصرلانتانیدی یوروپیوم و دیسپروسیوم به روش های نهشت بخار شیمیایی و هیدروترمال رشد داده شدند. مورفولوژی، خواص ساختاری و اپتیکی نانوساختارهای رشد یافته بوسیله پراش اشعه ایکس(xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem)، تعیین اندازه ذرات(psa)، آنالیزهای حرارتی همزمان tga/dta/dtg، طیف سنجی انعکاسی پخش (drs)و تکنیک فتولومینسانس(pl) مشخصه یابی شدند. برای تضعیف...

در این پایان نامه نانو ساختارهای سطحیtio2 بر روی زیر لایه سیلیکان با سطوح متفاوت: صیقلی، متخلخل و روکش شده با لایه نازک طلا با استفاده از دو روش تبخیر در خلا و همچنین تبخیر در کوره حرارتی رشد داده شده است. و عوامل موثر بر رشد این نانو ساختارها از جمله دمای پخت نیز مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است برای بررسی خواص ساختاری و همچنین مورفولوژی سطح نانو ساختارهای تولید شده از پراش اشعه x و همچنین از...

سیستم¬های فتوولتائیک مشخصه توان-ولتاژ غیرخطی دارند و نقطه¬ی حداکثر توان آنها با تغییرات تابش تغییر می¬کند. این سیستم¬ها اغلب توسط درختان اطراف، پرندگان و حتی برف به صورت کامل یا جزئی تحت سایه قرار می¬گیرند که در این صورت مشخصه توان-ولتاژ پیچیده¬تر شده و روش¬های معمول قادر به ردیابی نقطه حداکثر توان جهانی نیستند. در این پایان¬نامه یک سیستم ردیابی نقطه حداکثر توان معرفی می¬شود که این روش الگوی سا...

هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لی...

نیمرسانای های نیتروژندار بویژه نانو ساختارهای آنها دارای کاربرد های وسیعی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی درمحدود طول موج های مادون قرمز تا ماوراء بنفش می باشند و بررسی بازترکیب حاملها بویژه بازترکیبات اکسیتونی در این نیمرساناها برای بالا بردن بازده نوری قطعات اپتیکی دارای اهمیت می باشد. وجود افت و خیزهای پتانسیل در لبه گاف نواری ناشی از عوامل مختلفی مثل ناهمواریهای فصل مشترک چاه و سد و همین...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیتریدی می توانند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کنند. نیمه هادی های نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آنها، که به علت داشتن باند انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند، در گسیل های نوری، گذار نوری مستقیم دارند که بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات با توان و بهره بالا می باشند. وقتی که قطعات نوری در شرایط نایکسان قرار می گیرند،...