در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغناطیسی مورد بررسی قرار دادیم. سپس خواص الکترونی و مغناطیسی لایه نازک خالص و آلائیده شده با منگنز را برای هر سه ساختار ا...

در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نم...

در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت ا...

در این پایان نامه تغییر طول موج لیزر نیمرسانای فابری- پرو در اثر تغییر جریان الکتریکی تزریقی شبیه سازی شده است. مدل مورد بررسی یک لیزر نیمرسانای 5 لایه از ماده ی ingaasp/inp است

در این پایان نامه، هدف ساخت سنسور گاز الکلی با استفاده از نیمرسانای اکسید روی به عنوان ماده ای ارزان و دسترس پذیر میباشد. که به منظور بهینه کردن خاصیت سنسوری در آن، از نانولوله های کربنی نیز بهره برده شده است. سنسورهای ساخته شده در معرض گازهای الکلی همانند متانول، اتانول و پروپانول قرار گرفتند تا میزان حساسیت سنسور نسبت به آنها بررسی گردد.

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...