در دهه اخیر تحقیقات گسترده ای در زمینه خواص فیزیکی (in)gaas1-xnx به عنوان نیمرساناهای نیتروژندار رقیق صورت گرفته است. این مواد با ویژگی کوچکی و مستقیم بودن گاف نواری در محدوده 1 الکترون ولت از کاربرد بالایی در قطعات الکترونیک و اپتوالکترونیک برخوردارند. در این بین ساختار ناهمگون (in)gaas1-xnx/algaas با چاه های کوانتومی مربعی و مثلثی، با توجه به خصوصیت منحصر بفرد آن که امکان تشکیل کانالی رسانا ا...

در این پایان نامه به بررسی و محاسبه برخی پارامترهای موثر در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مواد نیتروژندار رقیق از جمله عرض ناحیه تهی، طول پخش حامل اقلیت، جریان اتصال کوتاه، جریان تاریکی و ولتاژ مدار باز از طریق مدلهای نظری وابسته به بازدهی کوانتومی داخلی سلول خورشیدی پرداخته ایم. محاسبات ما حاکی از آنست که در سلولهای خورشیدی با ساختار p-n رشد یافته به روش mbe، میزان آلایش کمتر در لایه نوع n و نیز اس...

تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی چاه کوانتومی بدون آلایش نیمرسانای نیتروژندار دارای جابه جایی قرمز- آبی– قرمز متوالی (رفتار s گونه) می باشد که این امر به جایگزیدگی اکسیتون ها در افت و خیزهای پتانسیل درچاه کوانتومی و یا فصل مشترک چاه و سد نسبت داده می شود. میزان آلایش سیلیکونی در سد، روی تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی (رفتار s گونه)، پهنای طیف اپتیکی گسیلی (fwhm) و همچنین انرژی گسیلی کل در ط...

به کمک روش نشست بخار شیمیایی و کوره الکتریکی، سنتز انواع نانو ساختارهای تک بعدی نیمرسانای نیتروژندار با موفقیت انجام شد. برای این منظور، اقدام به طراحی یک سیستم رشد نانوساختارهای نیمرسانای نیتروژندار کردیم. این سیستم متشکل از کوره الکتریکی، کپسول های گاز فعال و حامل، لوله های اتصال و شیرهای سوزنی، درپوش ها، لوله آلومینا و کوارتز، فلومترها، گازشو و سیستم خنک کننده کوره می باشد. واکنش شیمیایی میا...

در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغناطیسی مورد بررسی قرار دادیم. سپس خواص الکترونی و مغناطیسی لایه نازک خالص و آلائیده شده با منگنز را برای هر سه ساختار ا...

نیمرسانای های نیتروژندار بویژه نانو ساختارهای آنها دارای کاربرد های وسیعی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی درمحدود طول موج های مادون قرمز تا ماوراء بنفش می باشند و بررسی بازترکیب حاملها بویژه بازترکیبات اکسیتونی در این نیمرساناها برای بالا بردن بازده نوری قطعات اپتیکی دارای اهمیت می باشد. وجود افت و خیزهای پتانسیل در لبه گاف نواری ناشی از عوامل مختلفی مثل ناهمواریهای فصل مشترک چاه و سد و همین...

طیف وسیعی از مواد نیمرسانا با آلایش عناصر واسطه (اتمهای مغناطیسی) وجود دارند، که این مواد را عموماً بعنوان نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده dms می شناسند. از سوی دیگر dms های حاصل از ترکیبات نیمرسانای گروه iii-v، بعلت امکان کاربرد آنها در اسپینترونیک، توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه های موجود داشته ...

نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده موادی هستند که خواص نیمرسانایی و مغناطیسی را به طور همزمان نشان می دهند. این مواد نیمرساناهایی هستند که شامل تعدادی اتم عناصر واسطه اند که جایگزین کاتیون ها شده اند. از بین نیمرساناهای فرومغناطیس گروه iii–v ، نیمرسانای مغناطیسی گالیوم نیتراید رقیق شده با عناصر واسطه (ga,tm)n به خاطر دمای کوری بالای دمای اتاق، بیشترین کاربرد را در صنعت اسپین ترونیک دارد. در این پژ...

برخی خواص فیزیکی منحصر بفرد نیمرساناهای نیتروژندار رقیق (in)ganas سبب شده است که در دهه ی اخیر به عنوان ماده ای جالب توجه در دیود لیزرهای فروسرخ، سلولهای خورشیدی چند پیوندگاهی با بازده بالا و سایر ابزارهای الکتریکی مورد توجه زیادی قرار گیرند. معلوم شده است که با افزودن نیتروژن به مقدار ناچیز (کمتر از 5%) به نیمرسانای gaas، گرچه گاف انرژی آن را به طور قابل ملاحظه ای کاهش جرم موثر الکترونها افزای...

در سالهای اخیر تحقیقات بنیادی و کاربردی روی نانوساختارهای نیمرسانا به دلیل اثرات اندازه کوانتومی و مورفولوژی خاص به شدت مورد توجه قرار گرفته است. خواص فیزیکی و شیمیایی بسیار متنوع اکسیدهای فلزی، این مواد را برای پژوهش‏های بنیادی و نیز کاربردهای صنعتی جذاب ساخته است. این اکسیدها گستره وسیع خواص الکتریکی از عایق‏ها با گاف نواری پهن تا فلزی و ابررسانایی را در بر می‏گیرند. فیزیک لایه نازک یکی از شا...