با توجه به پیشرفتهای روزافزون تکنولوژی نیمه هادیها و مدارهای تجمعی اهمیت اتصالات فلز - نیمه هادی روز به روز بیشتر می شود. با توجه به سابقه طوللانی تحقیق در زمینه پیوندهای فلز - نیمه هادی، مطالعات زیادی در دهه اخیر صورت گرفته است که نشاندهنده اهمیت کاربردی آنها در تکنولوژی جدید قطعات نیمه هادی می باشد. در این پروژه سعی شده تمام نظریه های اصلی، در مورد پیوندهای فلز - نیمه هادی با توجه به روند تار...

با استفاده از ترکیب محاسبات ساختار الکترونی و محاسبات بس ذره ای, اثرات همبستگی در فرومغناطیس نیمه فلز nimnsb بررسی می شود. یک هامیلتونی واقعی بس ذره ای که صرفاً شامل اربیتالهای d اتم mn باشد, اهمیت غیر-شبه ذرات را درست بالای سطح فرمی نشان می دهد. نتایج ما پیشنهاد می کند که برای توصیف دقیق تر حالتهای کم انرژی حول سطح فرمی, اربیتالهای d اتم ni بایستی صریحاً منظور شوند.

آشکارساز نوری فلز-نیمه رسانا-فلز (msm) جذابیت فراوانی برای کاربرد در سیستم های مخابراتی اپتوالکترونیکی یافته است. آزمایشات نشان می دهد که پاسخ زمانی آشکارساز (msm) با تغییر موقعیت پالس اپتیکی بر روی ناحیه ی فعال تغییر می کند. در حالت تعادل، پاسخ قطعه تابع سینوسی از موقعیت پالس اپتیکی است. در حالت استاتیک (اعمال ولتاژ) هنگامی که موقعیت پالس اپتیکی در ناحیه ی آندی قرار دارد، آشکارساز به ولتاژ اعم...

در این پژوهش، از یک مدل دو بعدی مونت کارلو برای شبیه سازی مولفه های الکترون و حفره جریان نوری خروجی و محاسبه پاسخ زمانی آشکارساز نوری فلز- نیم رسانا- فلز gaas به ازای تابش پالس نوری استفاده شده است. برای این منظور از یک مدل دو دره ای برای الکترون ها و همچنین مدل دو باندی برای حفره ها استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند. باندهای انرژی غیرسهموی فرض...

چکیده آشکارسازهای نوری بخش مهم سیستمهای ارتباط نوری محسوب می شوند.آشکارسازها اساساً ابزار نیمه هادی هستند که انرژی نوری را جذب می کنند و آن را به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند که معمولاً با عنوان جریان نوری بیان می گردد.در طراحی آشکارساز نوری باید به سازگاری آشکارساز نوری با بقیه قسمتهای سیستم توجه داشت که این امر به کوچک بودن اندازه آشکارساز ، پایین بودن ولتاژ بایاس و سهولت ملحق شدن به سیستم دری...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

تیگزو فرمینگ شکل دهی مواد فلزی در دمای بین سولیدوس و لیکیدوس است. تولید قطعات فلزی به روش تیکزوکستینگ و در ادامه تیکزو فورجینگ روشی جدید است. در حال حاضر از تیکزو کستینگ جهت تولید قطعات با ابعاد متوسط و تعداد زیاد استفاده می شود و نتایج بسیار خوبی مرتبط با رفتار مکانیکی و کیفیت قطعات تولید شده ارائه شده است. در این تحقیق ابتدا ساختار بیلت اولیه آلومینیومی توسط فرایند سطح شیبدار و در زوایای مختل...

چکیده ندارد.

ریخته گری مداوم و نیمه مداوم یکی از روشهای جدید در تولید آلیاژهای فلزی است که امروزه در وقت و هزینه، صرفه جویی کرده است. ضمن آنکه در ارتقای کیفیت محصولات ریخته گری نقش بسیار مهمی ایفا کرده است. هدف از انجام این تحقیق، ساخت دستگاه ریخته گری نیمه مداوم در ابعاد آزمایشگاهی برای تولید میلگرد برنجی و بررسی مشکلات ساخت چینی دستگاههایی در اندازه صنعتی می باشد. برای ساخت این دستگاه پس از بررسی کلیه روش...