اکسید تنگستن یک نیمه رسانا با گاف انرژی پهن و خواص رنگ پذیری شناخته شده ای می باشد. این اکسید فلزی خواص و کاربردهای بسیاری از جمله خاصیت الکتروکرومیک، فوتوکاتالیست و حسگر گازی دارد. از این بین خواص رنگزایی آن در حضور گاز هیدروژن بسیار مورد توجه می باشد. امروزه گاز هیدروژن به عنوان سوخت پاک و تجدید پذیر جایگزین مناسبی برای سوخت های فسیلی در مصارف خانگی، صنعت و خصوصاً بخش حمل و نقل به شمار می رود....

چکیده ندارد.

نتایج نشان می دهدکه این دسته از ترکیبات همگی نیم رسانا هستند،که ترکیب bese نیم رسانای با گاف غیرمستقیمبا گاف نواریبرابرev)62/3= ) و گاف مستقیمبا گاف نواریبرابر ev)5= ) و برای بقیه ی ترکیبات سه تایی با مقادیر (75/0و5/0و25/0و0 =x) همگی نیم رسانای با گاف مستقیمبا گاف نواریبه ترتیب برابر ev(7/3و7/2و4/2و07/2) می باشند. افزودن بریلیم به ترکیب cdse با غلظت های مختلف xبا مقادیر (1و75/0و5/0و25/0و0 =x ) ...

در این مقاله ویژگی های ساختاری و  الکترونی ازجمله  ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکم پذیری،بهینه سازی حجم ، ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ها و چگالی ابرالکترونی نیم رسانای منیزیم سلنید (mgse) درفازهگزاگونال برای ساختارb4 مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبه ها بااستفاده ازروش امواجتخت تقویت شدۀخطیباپتانسیل کامل، درچارچوبنظریۀتابعیچگالی (dft) وبااستفادهازنرمافزار wien2kصورتگرفت.نتیجه هایبه دستآمدهیک گاف...

در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...