نتایج جستجو برای: نیم رسانای مغناطیسی
تعداد نتایج: 13986 فیلتر نتایج به سال:
پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است
آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...
اخیرا نیمه رساناهایی که در غلظت های پایین با فلزات انتقالی ترکیب شده اند، و نیمه رساناهای مغناطیسی رقیق شده نامیده می شوند، بدلیل دارا بودن خاصیت فرومغناطیسی در دمای اتاق مورد توجه قرار گرفته اند. در این تحقیق خواص مغناطیسی یکی از مواد با عنوانfexti1-xo2 که در آن x از صفر تا 0/5 می باشد را بررسی می کنیم. طیف موزبائر نمونه های مربوطه نشان می دهد که در این ماده fe جایگزین اتم های ti می شود و دو ی...
در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد...
چکیده ندارد.
در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونلزنی مغناطیسی بررسی میشود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده با یک لایۀ غیرمغناطیسی است که به دو الکترود فلز غیرمغناطیسی متصل هستند. مؤلفههای مختلف احتمال عبوردهی وابسته به اسپی...
در این مقاله سیستم تأمین انرژی و تخلیه جریان سیمپیچ چنبرهای توکامک دماوند به منظور افزایش زمان میدانهای مغناطیسی با هدف ماندگاری پلاسما، طراحی شبیهسازی شده است. حال حاضر سیمپیچ دارای نیم سیکل سینوسی مدت ms 100 پیک kA 12 است که میدان مغناطیس تقریباً T 1/1 مرکز چنبره تولید میکند ناحیه تخت آن حدود 20 میباشد برای تشکیل محصورسازی پلاسما استفاده میگردد. ارتقاء 200، ضروری سیستمهای کنترل مربو...
در این پژوهش به مطالعه نظری خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین یک نانوساختار استخوان ماهی شامل دو اتم مغناطیسی در دو انتهایش پرداخته شده است. رسانش الکتریکی این نانو ساختار برای چند جهت گیری متفاوت گشتاورهای مغناطیسی این اتم ها که به دو رسانای غیرمغناطیسی نیمه نامحدود متصل اند، مورد بررسی قرار گرفته است. به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به محاسبه و مقایسه ضریب عبور الکترونی وابسته به اس...
اکسید تیتانیوم یا تیتانیا از کاربردهای بسیار وسیعی برخوردار است و از این رو توجه فوق العاده پژوهشگران و صنعتگران را به خود جلب کرده است. با فراهم شدن امکان ساخت نانو ذرات و نانو لایه های تیتانیا شاهد تغییرات جالبی در خواص فیزیکی و شیمیایی آن هستیم. از طرف دیگر، نیمرسانا های مغناطیسی رقیق نیمرساناهایی هستند که با تزریق موثر اسپین اتم های جانشانی مغناطیسی مانند فلزات واسط دارای خواص مغناطیسی میشو...
چکیده ندارد.
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید