در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

چکیده ندارد.

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

مواد پیزوالکتریک با پایه سرب (تیتانات زیرکونیوم سرب (pzt )) به دلیل خواص الکتریکی مناسب کاربرد بسیار وسیعی در فناوری های الکترونیک و میکروالکترونیک دارند. خواص این مواد وابستگی زیادی به دوپنت های موجود دارد. از جمله دوپنت هایی که برای این دسته از پیزوسرامیک ها استفاده می شود دوپنت های نوع دهنده بوده که باعث بهبود خواص دی الکتریک و پیزوالکتریک آنها می شود. در تحقیق حاضر پیزوسرامیک هایpb(zr0.51ti...

در این تحقیق به وسیله دستگاه پوشش دهی چرخشی روی زیرلایه پلی (متیل متاکریلات)، پلیمر رسانای پلی (3،4- اتیلن دی اکسی تیوفن) از مونومر 4،3- اتیلن دی اکسی تیوفن به روش پلیمری شدن درجا، سنتز شد. در ادامه اثر پارامترهای دمای پخت، زمان پخت و سرعت پوشش دهی، بر ویژگی های ساختاری، نوری، الکتریکی و مکانیکی این پوشش موردبررسی قرار گرفت. برای این منظور از طیف سنجی تبدیل فوریه-مادون قرمز (ft-ir)، طیف سنجی ما...

چکیده - در این مقاله یکی از جدیدترین فرآیندهای ماشینکاری تحت عنوان ماشینکاری تخلیه الکتریکی خشک که از مهمترین تفاوت های آن در مقایسه با تخلیه الکتریکی معمولی استفاده از دی الکتریک گازی و سرعت دوران الکترود ابزار می باشد، مورد بررسی قرار گرفته است. با در نظر گرفتن ولتاژ دهانه ماشینکاری، جریان، زمان روشنی و خاموشی پالس، فشار گاز دی الکتریک و سرعت دوران الکترود به عنوان متغیرهای ورودی مؤثر در فرآی...

چکیده با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ضریب دی¬الکتریک بالا، فرایندپذیری آسان و دوام زیاد رو به گسترش است. یکی از رایج¬ترین روش¬ها برای دستیابی به این هدف استفاده از کامپوزیت های پلیمری است. استفاده از پرکننده¬هایی مانند ذرات سرامیکی با ضریب دی¬الکتریک بالا و یا ذرات فلزی/کربنی با رسانایی بالا در بستر پلیمری معمول است که هر یک نقاط قوت و ضعف خاص خود را دارند. هدف از...

در این مقاله به تولید جت پلاسمای سرد فشار اتمسفری گاز آرگون با استفاده از روش تخلیه سد دی الکتریک با سه منبع توان الکتریکی با ولتاژ سینوسی، پالسی و دندان اره ای در بسامد یکسان 8 کیلوهرتز پرداختیم. ابتدا ویژگی مدار الکترونیک مورد نظر را برای تولید ولتاژ فشار قوی با شکل ولتاژ خروجی سینوسی، پالسی و دندان اره ای توضیح می دهیم. سپس اثر شکل ولتاژ اعمالی در شکست الکتریکی گاز بررسی می کنیم. غلظت نسبی گ...

اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (dbds) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار 6sf) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک ...