نتایج جستجو برای: finfet تمام گیت دو فلزی

تعداد نتایج: 306128  

ژورنال: :مجله دندانپزشکی 0
فریبرز امینی f. amini associate professor, department of orthodontics, school of dentistry, tehran islamic azad universityدانشیار گروه آموزشی ارتودنتیکس، دانشکده دندانپزشکی، دانشگاه آزاد اسلامی تهران فر هاد ثبوتی f. soboti postgraduated student, department of orthodontics, school of dentistry, tehran university of medical sciencesدستیار تخصصی گروه آموزشی ارتودنتیکس، دانشکده دندانپزشکی، دانشگاه علوم پزشکی و خدمات بهداشتی، درمانی تهران مهسا شریعتی m. shariati postgraduated student, department of orthodontics, school of dentistry, tehran islamic azad universityدستیار تخصصی گروه آموزشی ارتودنتیکس، دانشکده دندانپزشکی، دانشگاه آزاد اسلامی تهران زینب نوشاد حقیقی z. zoshad haghighi dentistدندانپزشک

زمینه و هدف: با توجه به کاربرد براکت های بازیافت شده در درمان های ارتودنسی و احتمال بالاتر بودن میزان آزاد سازی یون های فلزی در این نوع براکت ها و عوارض شناخته شده حاصل ازآن؛ این مطالعه به منظور بررسی تأثیر فرآیند بازیافت بر میزان یون های فلزی آزاد شده از براکت های ارتودنسی انجام گرفت.روش بررسی: این تحقیق به روش تجربی و بر روی 80 براکت از نوع discovery باند مستقیم ساخت شرکت dentarum آلمان انجام...

Journal: :International Journal of Electrical and Computer Engineering 2022

<span>This paper studies the impact of fin width channel on temperature and electrical characteristics field-effect transistor (FinFET). The simulation tool multi-gate field effect (MuGFET) has been used to examine FinFET characteristics. Transfer with various temperatures (W<sub>F</sub>=5, 10, 20, 40, 80 nm) are at first simulated in this study. results show that increasing e...

2017
Qiuting Huang Francesco Piazza Bernhard SCHMITHUSEN Andreas SCHENK Andreas WETTSTEIN Axel ERLEBACH Simon BRUGGER Yuhua Cheng

The effect of gate – drain/source underlap ( Lun ) on a narrow band LNA performance has been studied , in 30 nm FinFET using device and mixed mode simulations. Studies are done by maintaining and not maintaining the leakage current (Ioff) of the various devices. LNA circuit with two transistors in a cascode arrangement is constructed and the input impedance, gain and noise-figure have been used...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1391

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی پردازشگر تمام نوری با اهداف مخابراتی پرداخته می شود.در ساختار این پردازشگر از ادوات تمام نوری سرعت بالا که با استفاده از ساختارهای نانو طراحی شده است استفاده می گردد.یکی از قطعاتی که در ساختار پردازشگر استفاده می شود لیزر حلقوی می باشد. علت استفاده لیزر حلقوی در این ساختار به قابلیت های آن در تبدیل شدن به انوع گیت ها تمام نوری و توانایی مجتمع ساز آن بر می ...

Journal: : 2022

Using TCAD modeling, the effect of changing FinFET structure parameters, such as gate stack layer sizes, rib shape, or doping levels, on electrical characteristics device is investigated.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم 1390

واکنش ایساتوئیک انیدرید با n-تری کلروآمیدین های استخلاف دار ،تهیه شده از آمین و تری کلرو استونیتریل(tca)،در مجاورت مقادیر کاتالیزوری از نانوذرات روی اکسید در شرایط رفلاکس و حلال آب منجر به تولید مشتقات2-آمینوکینازولین(h3)-4-ان با بازده خوب می شود. 13 مثال؛ بازده 85-54% واکنش مالونونیتریل با ترکیبات استیلنی کم الکترون در مجاورت مقادیر کاتالیزوری از نانوذرات منیزیم اکسید درشرایط بدون حلال و ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی عمران 1393

تحقیقات نشان می دهد که سالیانه تقریبا 15 درصد رنگزاهای مصنوعی تولیدی طی عملیات تولید و مصرف وارد پساب ها شده که عامل مشکلات متعددی برای حیات آبزیان، گیاهان آبی و انسان ها می باشد. پس حذف این مواد از پساب یک ضرورت تلقی می شود. نانوذرات آهن می توانند به عنوان عامل احیاکننده و کاتالیزور در سمیت زدایی تعداد زیادی از آلاینده های محیط زیست استفاده شوند. در راستای توسعه فناوری نانوذرات آهن، با رسوب ده...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1392

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

Journal: : 2023

ألفريد دي فيني هو أحد منشئي المدرسة الرومانسية. شاعر وفيلسوف يتميز بأصالة النوع الشعري الذي جلب الشعر الفرنسي. يكمن أسلوبه في التعبير عن الفكر والفلسفة الإنسانية إطار ملحمي ودرامي. تكشف تحفته القدر نفسه كمجموعة متنوعة من المواضيع: (المثالية ، الطبيعة الدين المرأة التشاؤم المعاناة). كل هذه المواضيع ذات صلة بالرؤية الفلسفية للشاعر التي نتج عنها العزلة المؤلمة للشاعر.كان الشاعر قادرًا على تطوير أفك...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید