نتایج جستجو برای: implantat ion .

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Journal: :international journal of reproductive biomedicine 0
li hai-xia guo xin-yu xie yan yuan qi-long ge ming-xiao zhang jin-yu

background: aggressive embryo and receptive endometrium are necessary for successful implantation. on this time endometrium transformates to receptive state, which permits embryonic implantation. studies about embryonic implantation and endometrial receptivity are always a hot spot in the field of reproductive medicine. objective: to investigate the expression pattern of meis1 during peri-impla...

2013
Jon Opsal

Under sufficiently high dose and energy, ions implanted into a semiconductor will produce an amorphous layer throughout the range in which nuclear stopping is the dominant mechanism for slowing the ions. In arsenic implanted silicon, for example, this corresponds to doses greater than 1014ions/cm2 and energies above 10 keV. Using a model for thermal and plasma wave-induced modulated reflectance...

2011
Omid Majdani P. Mane Tobias Ortmaier Thomas Lenarz Thomas S. Rau

In den vergangenen 5 Jahren wurden zunehmend mehr Patienten mit hochgradiger Schwerhörigkeit oder frequenzselektiver, partieller Taubheit mit einem Cochlea-Implantat (CI) versorgt. Dabei soll das Resthörvermögen erhalten bleiben. Dies kann erzielt werden, wenn während der Einführung der Elektrode in die Hörschnecke die Feingewebsstrukturen der Hörschnecke (Cochlea) nicht verletzt werden. Ein Ma...

Journal: :Der Orthop�de 2005

Journal: :Trauma und Berufskrankheit 2008

2011
Franziska Eckardt Thomas S. Rau Thomas Lenarz Omid Majdani

Im Kontext der Cochlea-Implantat-Versorgung ist der Erhalt der Weichgewebsstrukturen im Innenohr von großer Wichtigkeit. Diese filigranen Strukturen lassen sich jedoch schlecht mit konventionellen Bildgebungsverfahren abbilden. Deshalb wurde von histologischen Felsenbeinpräparaten mittels Schliffpräparationsverfahren ein Schichtbilddatensatz des jeweiligen Präparates erzeugt, der aus Übersichts...

Journal: :Acta Mechanica Slovaca 2016

2007
Martin D. Giles

Advanced integrated circuit processing requires detailed modeling of each stage of the fabrication, to provide input for two-dimensional device models. This paper summarizes the various methods that are available for calculating ion implantation profiles in two dimensions, comparing the generality and expense of each approach. Some problems remain in modeling channeling and in verifying the res...

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