افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

تف‌جوشی کامپوزیت Al2O3-TiB2 بمنظور تولید قطعه‌ای با چگالی و استحکام بالا به دلیل پیوند‌های مستحکم کووالانسی و ضریب نفوذ پایین اجزا با مشکلاتی همراه است. انتظار می‌رود تولید کامپوزیت به صورت ذرات ریزی که به صورت همگن در زمینه توزیع شده باشد، می‌تواند مشکل تف‌جوشی این ماده را مرتفع سازد. در این پژوهش تف‌جوشی نانوکامپوزیت Al2O3-TiB2 که با دو روش مکانوشیمیایی و سل- ژل/مکانوشیمیایی تولید شده مورد بر...

 لایه‌های نازک TiO2-SnO2 به روش‌های باریکه‌الکترون و سل-ژل(غوطه وری)روی زیر‌لایه‌ شیشه‌ای لایه‌نشانی شدند. در روش باریکه‌الکترون، خلأ <span style="font-size: small...

هدف از پژوهش حاضر، سنتزنانو ذرات تیتانات استرانسیم دوپ?شده با 7 درصد?ایتریم (Sr0.895Y0.07TiO3�?) به عنوان ماده آندی جدید در پیل سوختی اکسید جامد می?باشد. نانو?ذرات با ترکیب غیراستوکیومتری Sr0.895Y0.07TiO3�? به روش سل- ژل سنتز گردید. از آنالیز حرارتی (TG-DTA) برای تعیین محدوده دمایی مناسب برای تکلیس، جهت شناسایی فازی، ویژگی?های ریز ساختاری و اندازه ذرات از آزمون?های پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسک...

در تحقیق حاضر یک فرآیند نوین برای تولید پوشش کامپوزیت نانو ساختار فلز-اکسید ارایه شده است. این روش ترکیبی از سل-ژل و فرآیند آبکاری الکترولس به منظور توزیع یکنواخت‌تر نانو ذرات اکسید در پوشش است. سل TiO2 به درون حمام آبکاری الکترولس Ni-P با یک سرعت کنترل شده اضافه و پوشش نانو کامپوزیت Ni-P-TiO2 بر روی زیرلایه آلیاژ AZ31 تشکیل شد. ساختار پوشش بدست آمده بصورت کریستالی بوده و ...

نانو بلورهای مغناطیسیcu1-yznyfe2o4 با میزان آلایش y=0, 0.25,0.5, 0.75, 1 و فریت روی آلاییده با 10% وزنی نقره بصورت میکرونی و نانویی و co1-xnixfe2o4 با میزان آلایش x=0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1 توسط روش سل ژل ساخته شدند. مشخصه یابی نمونه های سنتز شده توسط پراش اشعه x (xrd)، میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی (fe-sem)، طیف سنجی مادون قرمز تبدیل شده فوریه (ftir)، مغناطیس سنج (vsm) در دمای اتاق صورت گرفت....

چکیده: هدایتگرهای سریع یونی در تحقیقات اخیر به خاطر خواص فیزیکی جالب وشگفت انگیزشان بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. هدایت یونی بالا در یک جامد کریستالی توسط بی نظم کننده هایی مانند عناصر لانتانیدی به دست می آید.اکسید بیسموت یکی از کریستال های چند فازی می باشد که ازجمله فازهای شناخته شده آن ?، ?، ? و ? می باشند. این ترکیب به عنوان یک ترکیب پر کاربرد در زمینه های گوناگون کاتالیستی، سنسورهای گازی...

در سال های اخیر سنتز نانو مواد هیبریدی آلی-معدنی به طور چشم گیری مورد مطالعه قرار گرفته اند. این مواد قابلیت لازم را در ممانعت از جریان نشتی و تونلی در محفظه های فراخلأ، گیت های حسگرهای الکتروشیمیایی دارویی و تراشه های الکترونیکی دارند علاوه بر آن مواد دی الکتریک هیبریدی می-توانند به عنوان یک سد دی الکتریک کنترلی در قطعات نانو ترانزیستورها و حافظه های ذخیره کننده رایانه ای و تلفن همراه نیز استف...

در کار حاضر نانو ذرات فریت منگنز جایگزین شده با مس (mn1-xcuxfe2o4 x=0.0 ,0.1. 0.3, o.5)با روش هم رسوبی تهیه شد. تشکیل فاز کریستال، اندازه ذرات و خواص مغناطیسی واپتیکی نانو ذرات تهیه شده به ترتیب توسط پراش پرتو ایکس (xrd) و مغناطومتر مرتعش vsm)) و طیف سنج uv-visمورد بررسی قرار گرفت. برای تایید و تشخیص پیوند شیمیایی موجود در فریت های اسپینل از آنالیز تبدیل فوریه فرو سرخ (ftir) استفاده شد که نتایج...