هدف این مقاله بررسی اثرات سیاست پولی بر تولید و سطح عمومی قیمت ها از راه کانال قیمت دارایی ها (شاخص قیمت مسکن) در ایران طی دوره ی 4q1387- 1q1368 است. بدین منظور، با استفاده از الگوی تصحیح خطای برداری (vec) اثرات سیاست پولی از راه این کانال بررسی می گردد. به طور کلی، نتایج نشان می دهد که شوک بدهی بانک ها به بانک مرکزی به عنوان ابزار سیاست پولی از راه شاخص قیمت مسکن دست کم در کوتاه مدت می تواند س...

در چارچوب نظریات تجارت بین الملل، اختلاف در بهره مندی از عوامل تولید یکی از اصلی ترین علل شکل گیری تجارت است. در واقع، کشورها به تولید و صادرات کالاهایی می پردازند که عوامل تولید مورد نیاز برای آنها را به وفور در اختیار داشته باشند. انرژی نیز به عنوان یکی از اساسی ترین نهاده های تولید از این قاعده مستثنی نمی باشد. انتظار می رود به دلیل برخورداری نسبتاً فراوان ایران از منابع انرژی بسیاری از کالاه...

فن آوری و دانش فنی درتولید کالاهای صنعتی نقش عمده ای را ایفا می کند و نیروی کاری که از سطح دانش فنی و آموزش بیشتری برخوردار باشد، قادر است در چرخه تولید پویایی و تحول تکنولوژیک ایجاد کرده، سبب زایش ظرفیت تولید صادرات و توان رقابت در بازارهای بین المللی شود. مقاله حاضر، در پی آن است که تاثیر آموزش عالی را بر عرضهصادرات صنعتی مورد بررسی قرار دهد و به آزمون این فرضیه بپردازد که آموزش عالی در بلندم...

اکسید روی (zno) با ترکیب عناصر گروه ii-vi در زمره نیمرساناهای با گاف نواری مستقیم و پهن (ev37/3) بشمار می آید. این ویژگی اهمیت زیادی نه تنها در قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی در قطعات اپتوالکترونیکی، نظیر دیودهای نورگسیل و دیود لیزرهای آبی و بنفش، همچنین آشکارسازهای نوری نیز دارد. به کارگیری این ماده در این قطعات مستلزم تهیه آن به صورت تک بلوری می باشد. این موضوع همچنان مسئله ا...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

هدف این پایان نامه دکتری بررسی عملکرد ترانزیستوری دیود اثر میدانی (fed) است. ساختار این دیود مشابه با یک mosfet می باشد، بطوریکه آلایش سورس و درین آن متفاوت بوده و دارای دو گیت بر روی کانال است. این ترانزیستور قابلیت روشن و خاموش شدن با ولتاژ گیتها را دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده از نرم افزار minimos-nt نشان می دهد که این ترانزیستور با ساختار معمولی آن در ابعاد میکرومتری ...

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

این پایان نامه به بحث درباره شبیه سازی ، طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای مقیاس نانو در سطح کوانتمی می پردازد. اصول اساسی در این پایان نامه را می توان به ترتیب زیر بیان کرد. فیزیک مناسب اجرا و روش شناختی مدلسازی ترانزیستورها، توسعه روش tcadتکنولوژی طراحی به کمک کامپیوتر برای شبیه سازی سطح کوانتمی، آزمایش و تخمین ویژگی های جدید انتقال حامل در ترانزیستورهای مقیاس نانو و شناسایی پیامد طراحی ابزارها ...